中野 佑紀 | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

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概要

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関連著者

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 中野 佑紀

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 明田 正俊

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 大塚 拓一

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 花田 俊雄

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 箕谷 周平

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 東雲 秀司

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 柏木 勇作

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 保坂 重敏

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 浅原 浩和

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

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著作論文

• SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

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