志村 考功 | 大阪大学大学院工学研究科

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概要

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• 同名の論文著者
• 大阪大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 有村 拓晃

  大阪大学大学院工学研究科

• 北野 尚武

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 安武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 梅野 正隆

  大阪大学大学院工学研究科

• 大参 宏昌

  大阪大学大学院工学研究科

• 垣内 弘章

  大阪大学大学院工学研究科

• 吉本 千秋

  大阪大学大学院工学研究科

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 岡本 学

  大阪大学大学院工学研究科

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 朽木 克博

  大阪大学大学院工学研究科

• 佐伯 雅之

  大阪大学大学院工学研究科

• 奥 雄大

  大阪大学大学院工学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 大嶽 祐輝

  大阪大学大学院工学研究科

• 力石 薫介

  大阪大学大学院工学研究科

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 箕浦 佑也

  大阪大学大学院工学研究科

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 東雲 秀司

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 柏木 勇作

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 保坂 重敏

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 浅原 浩和

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 渡部 平司

  大阪大学

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ株式会社

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ

• 有村 拓晃

  大阪大学

• 奥 雄大

  大阪大学

• 細井 卓治

  大阪大学

• 志村 考功

  大阪大学

• 北野 尚武

  大阪大学

• 内藤 裕一

  産業技術総合研究所

• 山口 述夫

  キヤノンアネルバ

• 小野 倫也

  阪大院工

• 亀井 聡

  大阪大学大学院工学研究科

• 林 寛之

  大阪大学大学院工学研究科

• 神前 智憲

  大阪大学大学院工学研究科

• 吉越 章隆

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 垣内 弘章

  大阪大学 大学院工学研究科

• 大参 宏昌

  大阪大学 大学院工学研究科

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 小野 倫也

  大阪大学大学院工学研究科:大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター

• 垣内 弘章

  大阪大学工学部

• 齊藤 真里奈

  大阪大学工学部

• 齊藤 正一朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 齊藤 正一朗

  阪大院工

• 糟谷 篤志

  大阪大学大学院工学研究科

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所

• 中野 佑紀

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 箕谷 周平

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• チャンタパン アタウット

  大阪大学大学院工学研究科

• 田中 亮平

  大阪大学大学院工学研究科

• 秀島 伊織

  大阪大学大学院工学研究科

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著作論文

• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
• GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si(111)面上におけるSi_Ge_X薄膜のMBE成長過程
• Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• ゲルマニウム窒化膜の形成と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 低損傷スパッタ成膜装置を用いた真空一貫メタル電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタック作製技術の提案
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• シリコン熱酸化膜中のSiO_2結晶相
• 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 放射光X線トポグラフィによる極薄ひずみSi層の結晶性評価
• 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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