白石 賢二 | 筑波大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 筑波大学の論文著者

関連著者

• 白石 賢二

  筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 櫻井 蓉子

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 村口 正和

  東北大学際センター

• 高田 幸宏

  筑波大院数物

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 村口 正和

  早大理工

• 宮崎 誠一

  広大院先端物質科学

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 遠藤 哲郎

  東北大学際センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• NARA Y.

  Selete

• 北島 洋

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 渡部 平司

  大阪大学

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 北島 洋

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 有門 経敏

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• 宮崎 誠一

  広大

• SHIRAISHI K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• YAMADA K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 山田 啓作

  物質材料研究機構(NIMS)

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 山田 廉一

  東大理

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 中山 恒義

  北大院工

• 石田 猛

  日立製作所 中央研究所

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 宮崎 誠一

  広島大学 工学部

• 斉藤 慎一

  日立中研

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 山田 廉一

  日立製作所・中央研究所

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• YAMABE K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• 金光 義彦

  京大化研

• 大塚 崇

  筑波大学数理物質科学研究科

• 伊東 健一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 犬宮 誠治

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 神山 聡

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 赤坂 泰志

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 後藤 正和

  筑波大学数理物質科学研究科

• 樋口 恵一

  筑波大学数理物質科学研究科

• 池内 恒平

  筑波大学数理物質科学研究科

• ABUDUL Hamid

  物質材料研究機構(NIMS)

• 三橋 理一郎

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 堀内 淳

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 鳥居 和功

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 樋口 恵一

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 蓮沼 隆

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 赤坂 泰志

  Selete

• 奈良 安雄

  Selete

• 太野垣 健

  京大化研

• Miyazaki Seiichi

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• 細井 卓治

  大阪大学

• 堀内 淳

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 押山 淳

  東大物工

• 重田 育照

  兵庫県立大院生命

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 大野 垣健

  京大院理

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 門島 勝

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 杉田 義博

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 中島 清美

  物質材料機構

• 網中 敏夫

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 黒澤 悦男

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 村口 正和

  筑波大院数物

• 中塚 理

  名古屋大学

• 蓮沼 隆

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 山部 紀久夫

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻学際物質科学研究センター

• 山部 紀久夫

  筑波大学物理工学系

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• Boero M.

  筑波大学物理学系

• ボ*** マウロ

  筑波大学計算科学研究センター

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 佐藤 基之

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 神谷 克政

  兵庫県立大学大学院生命理学研究科ピコバイオロジー研究所タンパク質機能理論研究部門

• 白石 賢二

  筑波大学・大学院数理物質科学研究科

• 小林 賢司

  筑波大学・大学院数理物質科学研究科

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 蓮沼 隆

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 三橋 理一郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 舘野 賢

  筑波大

• 重田 育照

  兵庫県大院生命

• ボ*** マウロ

  兵庫県大生命

• 舘野 賢

  筑波大学計算科学研究センター物質生命科学研究部門

• Miyazaki S

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• Miyazaki Seiichi

  Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 神谷 克政

  兵庫県大生命

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 舘野 賢

  筑波大学

• Miyazaki Seiichi

  Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 太野 垣健

  京大院理

• NAKAMURA G.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• KADOSHIMA M.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• WATANABE H.

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• OHMORI K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• OHJI Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• INUMIYA S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• MIYAZAKI S.

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• HASUNUMA R.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• MOMIDA H.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• OHNO T.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

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著作論文

• 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
• 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
• メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
• 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
• 研究紹介 HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル
• 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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