山田 廉一 | 東大理

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概要

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関連著者

• 山田 廉一

  東大理

• 小林 俊一

  理研

• 山田 廉一

  日立製作所中央研究所

• 小林 俊一

  東大理

• 山田 廉一

  日立製作所・中央研究所

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 外海 透

  東大工

• 勝本 信吾

  東大理

• 山田 廉一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 八木 隆多

  東大理

• 外海 透

  東大理

• 小森 文夫

  東大物性研

• 大倉 理

  (株)日立製作所 中央研究所

• 石田 猛

  日立製作所 中央研究所

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 白石 賢二

  筑波大学

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 小森 文夫

  東大

• 石田 猛

  日立製作所・中央研究所

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 中村 昭彦

  東大理

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 神田 晶申

  理化学研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 神田 晶申

  東大理

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 外海 透

  東大物性研

• 白石 賢二

  筑波大学・大学院数理物質科学研究科

• 小林 賢司

  筑波大学・大学院数理物質科学研究科

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

• 毛利 友紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 大湯 静憲

  エルピーダメモリ株式会社

• 小此木 堅祐

  エルピーダメモリ株式会社

• 小森 文夫

  物性研

• 八木 隆多

  東京大学大学院理学系研究科物理学

• 小林 俊一

  東京大学大学院理学系研究所物理学

• 林 志忠

  東大理

• 鳥居 和功

  日立製作所 中央研究所

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著作論文

• 28p-ZC-2 ホッピング伝導の磁気抵抗
• 過渡電流および定常電流を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
• 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
• MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起源 : 接合リーク電流の2値変動(新メモリ技術とシステムLSI)
• 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
• 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
• 27a-W-9 スズ微粒子薄膜の臨界抵抗
• 微小トンネル接合のネットワークにおけるKosterlitz-Thouless転移
• 28p-M-8 銅微粒子膜の磁気抵抗
• 3p-YE-8 銅微粒子膜の電気伝導における粒径の効果
• 28p-M-10 超伝導微粒子薄膜における電荷・渦糸KTB転移
• 3p-YE-6 低伝導度銅微粒子膜における磁気伝導度
• 3p-YE-5 スズ微粒子膜におけるKT転移III
• 28a-L-10 スズ微粒子膜におけるKT転移
• 28a-L-9 Cu微粒子膜における電気伝導
• 12p-D-7 スズ微粒子膜におけるKT転移

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