大倉 理 | (株)日立製作所 中央研究所

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関連著者

• 大倉 理

  (株)日立製作所 中央研究所

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 糸賀 敏彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山田 廉一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山田 廉一

  東大理

• 芝 健夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 豊田 善章

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山田 廉一

  日立製作所・中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 正和

  日立製作所半導体事業部

• 田井 光春

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 均

  日立超LSIシステムズ

• 堀口 真志

  (株)日立製作所半導体事業部

• 中込 儀延

  (株)日立製作所半導体事業部

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 栗谷川 武

  (株)日立製作所 中央研究所

• 堀口 真志

  日立製作所中央研究所

• 中込 儀延

  株式会社 日立製作所 半導体事業部

• 中込 儀延

  日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  株式会社日立製作所中央研究所

• 山田 兼一

  (株)日立製作所中央研究所

• 阪田 健

  日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  日立製作所中央研究所

• 加賀 徹

  日立製作所中央研究所

• 大倉 理

  日立製作所中央研究所

• 阪田 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 坂田 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 関口 知紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 加賀 徹

  日立製作所 中央研究所

• 青木 正和

  日立製作所中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所中央研究所

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著作論文

• Gate-Overlapped LDD構造による低温Poly-Si TFTの高信頼化技術
• ポリシリコンTFTのパルス電圧ストレスによる劣化機構
• 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
• 過渡電流および定常電流を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
• 基板/酸化膜および酸化膜/ゲート界面の微細構造制御による酸化膜信頼性の向上
• ギガビットDRAM用高データレート回路技術
• 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
• 基板/酸化膜および酸化膜/ゲート界面の微細構造制御による酸化膜信頼性の向上

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