由上 二郎 | (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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概要
関連著者
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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大倉 理
(株)日立製作所 中央研究所
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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山田 廉一
(株)日立製作所 中央研究所
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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山田 廉一
東大理
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榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
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榎本 忠儀
中央大学理工学部
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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糸賀 敏彦
(株)日立製作所 中央研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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山田 廉一
日立製作所・中央研究所
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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長谷 卓
日本電気システムデバイス研究所
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由上 二郎
ルネサステクノロジ生産本部
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西山 彰
東芝研究開発センター
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朴澤 一幸
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
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榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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朴澤 一幸
(株)日立製作所中央研究所
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
(株)日立製作所 中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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児島 雅之
(株)ルネサステクノロジ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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鳥居 和功
日立・中研
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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森 健壱
(株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
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山田 兼一
(株)日立製作所中央研究所
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジプロセス開発部
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
著作論文
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 過渡電流および定常電流を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 基板/酸化膜および酸化膜/ゲート界面の微細構造制御による酸化膜信頼性の向上
- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 基板/酸化膜および酸化膜/ゲート界面の微細構造制御による酸化膜信頼性の向上
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 配線工程におけるウエハ裏面Cu汚染のデバイス信頼性に与える影響
- 半導体製造プロセスにおけるCu汚染によるデバイス信頼性劣化とそのメカニズム
- 最近の展望 シリコンプロセス・デバイスにおける新材料の導入