土本 淳一 | (株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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概要
関連著者
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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土本 淳一
ルネサステクノロジ(株)プロセス開発部
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上原 康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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芝野 照夫
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三菱電機(株)先端技術総合研究所
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著作論文
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))