嶋本 泰洋 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
(株)日立製作所 中央研究所
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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斎藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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藤崎 芳久
(株)日立製作所
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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生田目 俊秀
(株)日立製作所日立研究所
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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門島 勝
日立研究所
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生田目 俊秀
日立研究所
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三木 浩史
株式会社日立製作所中央研究所
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嶋本 泰洋
株式会社日立製作所中央研究所
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櫛田 恵子
株式会社日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
株式会社日立製作所中央研究所
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藤崎 芳久
株式会社日立製作所中央研究所
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三木 浩史
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究所
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櫛田 恵子
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究所
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三木 浩史
(株)日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
日立 中研
著作論文
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- High-k ゲート絶縁膜のスケーリング限界
- TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
- Ru(C_5H_4C_2H_5)_2/THF原料を用いたCVD法によるRu電極の形成
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術