三木 浩史 | (株)日立製作所中央研究所ULSI研究所
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概要
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三木 浩史
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三木 浩史
日立製作所 中央研究所
著作論文
- 水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化
- 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
- C1 トンネル音響顕微鏡によるPZT薄膜の観察(超音波非破壊評価)
- 微細MOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの影響
- 強誘電体PZTのMOCVD成長(酸化物のエピタキシー)
- ULSI用MOCVD-PZT薄膜の形成と電気特性