微細MOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-01-10
著者
関連論文
- 水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化
- 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
- C1 トンネル音響顕微鏡によるPZT薄膜の観察(超音波非破壊評価)
- 微細MOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの影響
- 強誘電体PZTのMOCVD成長(酸化物のエピタキシー)
- ULSI用MOCVD-PZT薄膜の形成と電気特性