鳥居 和功 | (株)日立製作所 中央研究所

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概要

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  日立・中研

• 嶋本 泰洋

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• 平谷 正彦

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• 藤崎 芳久

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• 平谷 正彦

  Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park

• 藤崎 芳久

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• 斉藤 慎一

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• 松井 裕一

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• 木村 紳一郎

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• 由上 二郎

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• 尾内 享裕

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• 三木 浩史

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• 三木 浩史

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• 尾内 享裕

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• 峰 利之

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著作論文

• 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
• リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
• 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
• High-k ゲート絶縁膜のスケーリング限界
• 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
• レーザーアニールによる不純物活性化とSiデバイス応用
• 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
• DRAM絶縁膜用極薄PZT薄膜
• 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術

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