DRAM絶縁膜用極薄PZT薄膜
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概要
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メモリセル構造を簡単化しプロセスマージンの拡大と製造コスト低減を可能にする新材料として高誘電率薄膜を次世代DRAM用容量絶縁膜として用いる研究が盛んに行なわれている。SrTiO_3や(Ba,Sr)TiO_3が最も有望視されており,すでに4〜256MbitDRAM試作が報告されるまでに至っている。しかし薄膜化に伴う誘電率の低下からこれらの材料で平坦キャパシタによる1GbitDRAMを実現することは困難であり再びスタック構造の採用が必要となる。我々は平坦キャパシタで1GbitDRAMを実現可能な極薄RZT膜の検討を行なっている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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