ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
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概要
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微細MOSFETのRTNを計測し,複数の捕獲準位応答を隠れマルコフモデルに基づいたアルゴリズムで解析した 高誘電率絶縁膜-金属ゲート構造とアンドープチャネルにより, RTN振幅は小さくなるが, 14nm技術の低電力回路では重大な問題になる可能性がある.RTNが引き起こす履歴効果により,短時間のBTIと論理遅延の不確定性が発生するためである.本稿ではまた, RTNをSRAMで検出する手法についても議論する.
- 2013-01-23
著者
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
鳥居 和功
日立・中研
-
三木 浩史
日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
-
小林 正治
T. J. Watson Research Center
-
手賀 直樹
日立製作所 中央研究所
-
Frank D.
T. J. Watson Research Center
-
Bansal A.
T. J. Watson Research Center
-
Cheng K.
T. J. Watson Research Center
-
Ren Z.
T. J. Watson Research Center
-
Wu S.
SRDC, IBM Corporation
-
Yau J-B.
T. J. Watson Research Center
-
Guillorn M.
T. J. Watson Research Center
-
Park D.-G.
T. J. Watson Research Center
-
Haensch W.
T. J. Watson Research Center
-
Leobandung E.
T. J. Watson Research Center
-
山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
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