高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
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概要
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低電源電圧で動作するSRAMとして、高対称型メモリセルとアレイ微昇圧方式を用いたSRAMアレイを設計した。高対称型メモリセルでは、βレシオが1.0となっており、これによってメモリセル内の拡散領域が矩形となるためLSI製造時のばらつきの影響を小さくすることが可能となる。また低電圧下ではSRAMメモリセルのスタティックノイズマージンが減少するが、アレイ微昇圧方式を用いることによって減少したスタティックノイズマージンを補償した。高対称型メモリセルとアレイ微昇圧方式を組み合わせた32kBのテストチップを試作し、0.4Vでの動作を確認した。0.4V時の動作周波数は4.5MHzであり、動作中の消費電力は140μW、スタンバイ電流は0.9μAとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-16
著者
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
石橋 孝一郎
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
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