超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
65nm世代にて小面積のdual-port-SRAMについて提案する。プライオリティー行デコーダとビット線切替回路を用いて同一行アクセス時の競合を回避する回路方式を提案し、これによりSRAMセルのドライバTr.サイズを小さくして高集積化を図る。更に、メモリセルレイアウトの工夫で、従来より約30%面積を縮小できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
-
今岡 進
ルネサスデザイン
-
増田 康浩
ルネサスデザイン
-
薮内 誠
ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
ルネサステクノロジ
-
大林 茂樹
ルネサステクノロジ
-
五十嵐 元繁
ルネサステクノロジ
-
冨田 和朗
ルネサステクノロジ
-
坪井 信生
ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
関連論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- A-3-11 ビット線電力を8割削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-port SRAM(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- C-12-42 ビット線充放電電力を53%削減する動画像処理応用2-port SRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- AS-2-2 動的電圧制御環境下における0.3-V動作64-kb SRAM(AS-2. ASPLA 90nmを用いたVLSIの研究開発,シンポジウム)
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 9.極低電圧動作による低エネルギーLSI(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- 低電圧動作ゲートアレイ向けSRAMメモリセルの高速化検討
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- C-12-35 可逆計算による状態変化と断熱SRAMとの同等性(C-12.集積回路,一般セッション)
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- C-12-2 分散の係数からみたSRAMの書込みマージンの定義に関する検討(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- Dynamic Voltage & Frequency scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Dynamic Voltage & Frequency Scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 高信頼性を実現した銅溶断型電気ヒューズ技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- C-12-48 線形位相比較器をもつCDR-PLLのプルインレンジとチャージポンプ電流ばらつきに関する一考察(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-49 電圧制御型発振器(VCO)の高調波ノイズに対する応答の研究(C-12.集積回路,一般セッション)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案(学生・若手研究会)
- エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法(招待講演1,物理設計及び一般)
- C-12-7 指数ゴロム符号の復号回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- 寄生バイポーラトランジスタを用いた1.0-3.6V, 200Mbpsプッシュプル型出力バッファ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 寄生バイポーラトランジスタを用いた1.0-3.6V, 200Mbpsプッシュプル型出力バッファ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- パストランジスタBiCMOSゲートを用いた高速64ビット加算器
- BiCMOSワイヤドOR論理
- C-12-16 デューティ比制御によるキャパシタ断熱充電技術(電源回路・ノイズ対策,C-12.集積回路,一般セッション)
- 基板バイアス自動制御MT-CMOS回路技術を用いたLSIの低消費電力化
- CDR-PLLにおける周波数引き込みシミュレーションの解析(ポスター講演,学生・若手研究会)
- LC-VCOとリング型VCOのノイズ感度の比較および解析(ポスター講演,学生・若手研究会)
- C-12-50 任意タンクキャパシタ回路の断熱充電ステップ電圧の安定性(センサ、電源回路、デジタル,C-12.集積回路,一般セッション)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 招待講演 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 (集積回路)
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
- C-12-2 オンチップ電源ノイズ離散化手法とRF直接電力注入によるSRAMのイミュニティ評価への応用(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-45 デューティ比制御を用いた断熱充電による高効率蓄電回路の考察(C-12.集積回路,一般セッション)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 伝達関数の計算によるADPLLの低位相雑音設計
- デューティ比制御によるキャパシタの高効率断熱充電 (低電圧・低消費電力回路)
- メタステープルを考慮したTDC回路の最適化およびADPLLの設計(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- 位相同期回路間における干渉ノイズのシミュレーション解析(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法 (集積回路)
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- C-12-29 断熱充電回路を用いた高効率エネルギー蓄電技術の開発(電源回路,C-12. 集積回路,一般セッション)
- 閉ループ制御を用いたISF感度解析の新しい手法の提案
- SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
- 位相比較器の非線形性を考慮したCDR-PLL回路のプルイン動作解析
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)