負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。読み込み時、メモリセルのグラウンド(VSM)を負電位にすることで読み出しマージンとスピードを改善し、書き込み時はビット線(BL)を負電位にすることで書き込みマージンを改善した。45mmCMOSプロセスで1MbitのSRAMマクロを試作したところ0.6Vでの動作を確認した。従来の6T-SRAMと比較し66%動作電力が削減された。

• 2010-04-15

著者

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 中瀬 泰伸

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 中瀬 泰伸

  ルネサスエレクトロニクス

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

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