新居 浩二 | ルネサスエレクトロニクス

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概要

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• ルネサスエレクトロニクスの論文著者

関連著者

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 河合 浩行

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院工学研究科

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 澤田 卓也

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 中野 博文

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部

• 利川 托

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 吉川 薫平

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 有本 和民

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 高田 英裕

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 前川 考志

  ルネサスエレクトロニクス

• 五十嵐 元繁

  ルネサスエレクトロニクス

• 石原 和哉

  ルネサスエレクトロニクス

• 阪本 憲成

  ルネサスモバイル株式会社

• 田中 浩司

  ルネサスエレクトロニクス

• 福岡 一樹

  ルネサスエレクトロニクス

• 小池 貴夫

  ルネサスモバイル

• 田中 信二

  ルネサスエレクトロニクス

• 永田 真

  神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻

• 澤田 卓也

  神戸大学大学院工学研究科

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 永田 真

  神戸大 大学院システム情報学研究科

• 永田 真

  神戸大学大学院工学研究科

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科:戦略的創造研究推進事業(jst Crest)

• 河合 浩行

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 田中 信二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 中野 裕文

  ルネサスエレクトロニクス

• 島崎 靖久

  ルネサスエレクトロニクス

• 前田 徳章

  ルネサスエレクトロニクス

• 小池 貴夫

  ルネサスモバイル株式会社

• 福岡 一樹

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 阪本 憲成

  ルネサスモバイル

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 高田 英裕

  三菱電機

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 松田 吉雄

  金沢大学

• 宮西 篤史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 千ヶ崎 英夫

  株式会社ルネサスデザイン

• 黒宮 修

  株式会社ルネサスデザイン

• 佐伯 宰

  株式会社ルネサスデザイン

• 中野 裕文

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 森田 貞幸

  ルネサスエレクトロニクス

• 柳沢 一正

  ルネサスエレクトロニクス

• 若原 康平

  ルネサスモバイル株式会社

• 藤ヶ谷 誠希

  ルネサスモバイル株式会社

• 入田 隆宏

  ルネサスモバイル株式会社

• 松山 嗣生

  ルネサスモバイル株式会社

• 長谷川 敬司

  ルネサスモバイル株式会社

• 齋藤 俊治

  ルネサスモバイル株式会社

• 福田 章

  ルネサスモバイル株式会社

• 寺西 要

  ルネサスモバイル株式会社

• 片岡 健

  ルネサスモバイル株式会社

• 服部 俊洋

  ルネサスモバイル株式会社

• 松村 哲哉

  日本大学

• 森 和孝

  ルネサスエレクトロニクス

• 梅本 由紀子

  ルネサスエレクトロニクス

• 石川 次郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 山木 貴志

  ルネサスエレクトロニクス

• 森 涼

  ルネサスエレクトロニクス

• 加藤 章

  ルネサスエレクトロニクス

• 五十嵐 満彦

  ルネサスエレクトロニクス

• 渋谷 宏治

  ルネサスエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 崎山 史朗

  松下電器産業(株) 戦略半導体開発センタ

• 水野 弘之

  (株)日立製作所中央研究所

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 柳沢 一正

  (株)ルネサステクノロジ

• 半澤 悟

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 入江 直彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 入江 直彦

  (株)日立製作所中央研究所

• 水野 弘之

  日立製作所中央研究所

• 野田 英行

  ルネサスエレクトロニクス株式会社技術開発本部システムコア開発統括部

• 中瀬 泰伸

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岡野 広

  株式会社富士通研究所システムlsi開発研究所

• 高田 英裕

  株式会社ルネサステクノロジ

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学研究所

• 岡野 広

  富士通研

• 中井 將勝

  ソニー

• 中井 將勝

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 中瀬 泰伸

  ルネサスエレクトロニクス

• 中田 洋平

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 野村 昌弘

  Nec

• 崎山 史朗

  パナソニック株式会社

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 水野 弘之

  日立製作所 中央研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 三輪 達

  サンディスク株式会社

• 奥村 俊介

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 矢野 祐二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサス テクノロジ 製品技術本部

• 川口 博

  神戸大学大学院

• 吉本 雅彦

  神戸大学大学院

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科情報科学専攻

• 鄭 晋旭

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 加藤 佳一

  パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター

• 梶谷 一彦

  エルピーダ

• 島崎 靖久

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 田中 浩司

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 渡邊 直也

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 林 勇

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 天野 照彦

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 黒田 泰人

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 白田 真也

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 堂阪 勝己

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 梶谷 一彦

  エルピーダメモリ株式会社

• 木美 雄太

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 森本 薫夫

  ルネサスエレクトロニクス

• 野田 英行

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 小松 成亘

  ルネサスエレクトロニクス

• 田中 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 半澤 悟

  株式会社日立製作所

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 前田 徳章

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• Dynamic Voltage & Frequency scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
• 動的基板制御による非対称SRAM
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
• C-12-2 オンチップ電源ノイズ離散化手法とRF直接電力注入によるSRAMのイミュニティ評価への応用(C-12.集積回路,一般セッション)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価
• 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 8.5 複製防止デバイスPUF : メモリPUF(第8章:セキュリティ,ディペンダブルVLSIシステム)
• 4.5 細粒度アシストバイアス制御SRAM(第4章:素子特性ばらつき,ディペンダブルVLSIシステム)
• 0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• C-12-9 SRAMのAC電源変動に対する不良応答と素子ばらつきの影響(C-12.集積回路)
• デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動作環境の動的変動を考慮した動作マージン拡大機能を有する自律制御キャッシュ(ポスターセッション,学生・若手研究会)
• 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路
• SRAMとオンチップメモリ BIST を用いたチップ固有ID生成回路

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