石井 雄一郎 | ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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概要
関連著者
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部
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木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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松田 吉雄
金沢大学
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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宮西 篤史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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千ヶ崎 英夫
株式会社ルネサスデザイン
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黒宮 修
株式会社ルネサスデザイン
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佐伯 宰
株式会社ルネサスデザイン
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス
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松村 哲哉
日本大学
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田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路