8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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8TデュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する.提案するアクティブビット線イコライズ手法はライトディスターブ状態でのデュアルポートSRAMセルの書き込みマージンを改善する.また提案手法はデュアルポートSRAMの両ポートが非同期動作しても適用することができる.28nmCMOSテクノロジを用いて,256kb容量のデュアルポートSRAMマクロを試作し,25℃の温度条件でライトアクセスタイム1.4nsおよび0.66Vでの動作を確認した.これは従来回路と比較してライトアクセスタイムで40%の高速化,120mVの動作下限電圧の改善となる.
- 2011-08-18
著者
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
宮西 篤史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
千ヶ崎 英夫
株式会社ルネサスデザイン
-
黒宮 修
株式会社ルネサスデザイン
-
佐伯 宰
株式会社ルネサスデザイン
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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