7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造(メモリ技術)
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概要
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本稿ではハーフセレクト対策を考慮した7T/14TディペンダブルSRAMを提案する.ディペンダブルSRAMは1ビットのデータを1つのメモリセルに記憶する7T通常モードと,2つのメモリセルで記憶する14T高信頼性モードを有し,これらの動作モードの切替えによって動的に信頼性を改善することが可能となる.65nmプロセスの試作によって,従来の6Tメモリセル,7T通常モードと比較した結果,最低動作電圧がそれぞれ0.24Vと0.18V改善され,動作モードの切替えによる動的な信頼性の改善機能を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-06
著者
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学
-
藤原 英弘
神戸大学大学院自然科学研究科
-
野口 紘希
神戸大学大学院自然科学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院自然科学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院工学研究科
-
井口 友輔
神戸大学大学院工学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
-
川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
野口 紘希
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
川口 博
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
川口 博
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院
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