低スタンバイ電流SRAMのための異常リーク電流抑制方式 (<特集>メモリ・混載メモリ及びIC一般)
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概要
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SRAMのスタンバイ時において、セル内部のデバイス欠陥によって流れる異常リーク電流を検知、及び削除するための回路方式を提案する。従来のSRAMに、リーク電流センサ、シフトレジスタ、及びヒューズの3つの要素を新たに付加する。リーク電流センサは各セル電源線/ビット線に流れる異常電流を1μA程度まで検知する。シフトレジスタによって異常個所を同定し、これに対応するヒューズをレーザ照射によって切断することで異常電流のパスを遮断する。64KビットのSRAMチップを試作し、測定によって本手法の有効性を確認した。付加回路による面積オーバーヘッドは7%であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-05
著者
-
桜井 貴康
東京大学
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
川口 博
東京大学生産技術研究所
-
神田 浩一
東京大学生産技術研究所
-
神田 浩一
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
ミン グエン
(株)東芝デジタルメディア社
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