神田 浩一 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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桜井 貴康
東京大学
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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神田 浩一
東京大学生産技術研究所
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神田 浩一
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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宮崎 隆行
東京大学生産技術研究所
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川口 博
神戸大学大学院工学研究科
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川口 博
東京大学生産技術研究所
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服部 貞昭
東京大学生産技術研究所
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服部 貞昭
東京大学生産技術研究所:(現)kddi株式会社
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稲垣 賢一
東京大学
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アントノ ダナルドノ
東京大学
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アントノ ダナルドノ
東京大学生産技術研究所
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稲垣 賢一
東京大学生産技術研究所
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黒田 忠広
慶應義塾大学
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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石田 光一
東京大学
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野瀬 浩一
東京大学生産技術研究所:(現)日本電気株式会社
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野瀬 浩一
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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閔 庚〓
東京大学生産技術研究所
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桜井 貴康
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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石田 光一
東京大学生産技術研究所
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黒田 忠広
慶応義塾大学
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関 庚提
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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山田 大裕
東京大学生産技術研究所
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山田 大裕
東京大学生産技術研究所:(現)みずほ証券株式会社
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ミン グエン
(株)東芝デジタルメディア社
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野瀬 浩一
東京大学生産技術研究所
著作論文
- 1.27Gb/s/pin, 3mW/pin Wireless Superconnect (WSC) Interface Scheme(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- A 0.5V, 400MHz, V_-Hopping Processor with Zero-V_ FD-SOI Technology(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- A-3-7 ITRSロードマップ準拠標準SPICEモデルの構築
- 行単位での電源電圧制御(RRDV)を用いたSRAMのリーク電力削減手法 : 0.5V世代の高速SRAMを目指して
- センスアンプ型メモリセルを用いたSRAM書き込み電力の削減方式
- センスアンプ型メモリセルを用いたSRAM書き込み電力の削減方式
- 低スタンバイ電流SRAMのための異常リーク電流抑制方式 (メモリ・混載メモリ及びIC一般)