センスアンプ型メモリセルを用いたSRAM書き込み電力の削減方式

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概要

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• 本SRAMでは、7トランジスタのセンスアンプ型メモリセルを用い、書き込み時のビット線振幅を電源電圧の1/6まで下げることによって、4メガビットSRAMの書き込み電力を90%削減する。64KビットSRAMのテストチップの試作と評価を行い、本方式の有効性を測定とシミュレーションの両方から確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-08-16

著者

• 桜井 貴康

  東京大学

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 神田 浩一

  東京大学生産技術研究所

• 服部 貞昭

  東京大学生産技術研究所

• 宮崎 隆行

  東京大学生産技術研究所

• 神田 浩一

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 服部 貞昭

  東京大学生産技術研究所:(現)kddi株式会社

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