野瀬 浩一 | 日本電気株式会社:慶應義塾大学
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概要
関連著者
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野瀬 浩一
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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桜井 貴康
東京大学
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野瀬 浩一
東京大学生産技術研究所:(現)日本電気株式会社
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川口 博
神戸大学大学院工学研究科
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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川口 博
東京大学生産技術研究所
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野瀬 浩一
東京大学生産技術研究所
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水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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浅田 邦博
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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野瀬 浩一
NECデバイスプラットフォーム研究所
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野瀬 浩一
東京大学大学院工学系研究科
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池野 理門
株式会社トプスシステムズ
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梶田 幹浩
日本電気株式会社
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池野 理門
東京大学大学院工学系研究科:(現)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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Ikeno Rimon
Dsp Development Japan Worldwide Development Application Specific Products Tsukuba Technology Center
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浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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高宮 真
東京大学
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犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
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中川 源洋
日本電気株式会社
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實吉 永典
日本電気株式会社
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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中川 源洋
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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桜井 貴康
東京大学 国際・産学共同研究センター
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高宮 真
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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山口 晃一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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深石 宗生
日本電気株式会社
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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稲垣 賢一
東京大学
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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アントノ ダナルドノ
東京大学
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高宮 真
日本電気株式会社
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川口 博
東京大学 国際・産学共同研究センター
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帰山 隼一
日本電気株式会社
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須永 和久
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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山口 晃一
日本電気株式会社
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吉田 洋一
日本電気株式会社
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黒田 忠広
日本電気株式会社
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根立 貴章
日本電気株式会社
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菅原 光俊
NECエレクトロニクスアメリカ(株)
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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黒田 忠広
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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犬飼 貴士
東京大学 生産技術研究所
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菅原 光俊
Necエレクトロニクスアメリカ
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菅原 光俊
日電
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吉田 洋一
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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李 誠洙
梨花女子大学情報通信学科
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神田 浩一
東京大学生産技術研究所
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アントノ ダナルドノ
東京大学生産技術研究所
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服部 貞昭
東京大学生産技術研究所
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山田 大裕
東京大学生産技術研究所
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宮崎 隆行
東京大学生産技術研究所
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稲垣 賢一
東京大学生産技術研究所
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平林 雅之
東京大学生産技術研究所
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野瀬 浩一
東京大学 生産技術研究所
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山田 大裕
東京大学生産技術研究所:(現)みずほ証券株式会社
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神田 浩一
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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服部 貞昭
東京大学生産技術研究所:(現)kddi株式会社
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須永 和久
日本電気株式会社システムipコア研究所
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菅原 光俊
NECエレクトロニクス アメリカ(株)
著作論文
- C-12-6 誘導結合チップ間リンクの通信距離拡張技術(C-12.集積回路,一般セッション)
- オーバーサンプル・エッジイコライズ技術による12Gb/sデュオ・バイナリ伝送(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- スーパーコンピュータSXにおける熱設計およびオンチップ温度観測(高性能プロセッサ・システムLSIの実装設計,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地)
- スーパーコンピュータSXにおける熱設計およびオンチップ温度観測(高性能プロセッサ・システムLSIの実装設計,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地)
- ジッタオーバサンプリング技術を用いた1ps分解能ジッタ測定マクロの開発(VLSI一般(ISSCC2006特集))
- A 0.5V, 400MHz, V_-Hopping Processor with Zero-V_ FD-SOI Technology(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 閾値ホッピング(V_-hopping)手法を用いた低電圧・低消費電力プロセッサ (「VLSI一般」)
- ED2000-124 / SDM2000-106 / ICD-2000-60 Boosted Gate MOS(BGMOS) : デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案
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- 0.5V電源電圧における低スタンバイ電流CMOS設計法
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- フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価
- フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価
- フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価