0.5V電源電圧における低スタンバイ電流CMOS設計法
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概要
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低消費電力のために0.5V程度の電源電圧にしたとき、MOSFETが動作するためには閾値を0.1〜0.2Vにしなければならない。しかしこの時、スタンバイ時にゲートあたり10nA、つまり100万トランジスタで10mAのリーク電流が流れてしまう。本研究では、このリーク電流を抑えるための回路としてsuper cut-off CMOS(SCCMOS)を提案する。SCCMOSを用いることで電源電圧0.5V〜0.8V、閾値0.1V〜0.2Vでスタンバイ時のリーク電流がゲートあたり1pA以下に抑えることができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-23
著者
-
桜井 貴康
東京大学
-
野瀬 浩一
東京大学生産技術研究所:(現)日本電気株式会社
-
野瀬 浩一
日本電気株式会社:慶應義塾大学
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
川口 博
東京大学生産技術研究所
-
野瀬 浩一
東京大学生産技術研究所
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