山口 晃一 | 日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

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概要

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関連著者

• 山口 晃一

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 山口 晃一

  日本電気株式会社

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 深石 宗生

  日本電気株式会社

• 深石 宗生

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 栗栖 正和

  NECシステムULSI開発本部

• 田中 憲一

  日本電気株式会社

• 栗栖 正和

  日本電気株式会社

• 吉田 信秀

  日本電気株式会社

• 竹内 正浩

  日本電気株式会社

• 佐伯 貴範

  日本電気株式会社

• 阪本 雄彦

  日本電気株式会社

• 早田 征明

  日本電気株式会社C&Cメディア研究所

• 森下 泰之

  日本電気株式会社

• 金子 伴行

  日本電気株式会社

• 早田 征明

  日本電気株式会社

• 水野 正之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 水野 正之

  日本電気株式会社

• 中村 和之

  日本電気株式会社

• 中村 和之

  日本電気(株)

• 中村 和之

  九州工大

• 内田 浩亨

  日本電気株式会社

• 多胡 州星

  日本電気株式会社

• 須永 和久

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 鈴木 一正

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 鈴木 一正

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 須永 和久

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 四柳 道夫

  NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部

• 野瀬 浩一

  日本電気株式会社:慶應義塾大学

• 広田 義則

  日本電気株式会社

• 中澤 陽悦

  日本電気株式会社

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 広田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 四柳 道夫

  日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部

• 岡本 匠

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 井口 憲幸

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 阪本 利司

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 斎藤 英彰

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 中島 将行

  日本電気株式会社システムIPコア研究所

• 山田 裕介

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 大内 明

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 四柳 道夫

  Necエレクトロニクス(株)

• 四柳 道夫

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 四柳 道夫

  Nec

• 内田 浩享

  日本電気株式会社

• 高宮 真

  日本電気株式会社

• 中村 聡

  日本電気株式会社

• 森田 将人

  日本電気株式会社

• 佐伯 貴紀

  日本電気株式会社

• 廣田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 帰山 隼一

  日本電気株式会社

• 杉田 英之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 中川 源洋

  日本電気株式会社

• 根立 貴章

  日本電気株式会社

• 菅原 光俊

  NECエレクトロニクスアメリカ(株)

• 堀 良彦

  NECエレクトロニクス

• 中島 啓一

  NECエレクトロニクス

• 葉山 浩

  NECエレクトロニクス

• 秋山 直人

  日本電気(株)

• 秋山 直人

  日本電気株式会社

• 菅原 光俊

  Necエレクトロニクスアメリカ

• 菅原 光俊

  日電

• 斎藤 英彰

  日本電気株式会社

• 中川 源洋

  日本電気株式会社:慶應義塾大学

• 大内 明

  日本電気株式会社システム実装研究所

• 菅原 光俊

  NECエレクトロニクス アメリカ(株)

• 井口 憲幸

  超低電圧デバイス技術研究組合

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著作論文

• C-12-1 大規模システムLSI向け積層フレックスメモリ(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-8 0.13μmCMOS5Gbps×20chトランシーバLSI(1)TX
• 0.13μm CMOS 5Gbps×20chトランシーバLSI
• C-12-11 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (4)チャネル間同期
• C-12-10 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (3)CDR
• C-12-9 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI(2)IO
• オーバーサンプル・エッジイコライズ技術による12Gb/sデュオ・バイナリ伝送(VLSI一般(ISSCC2005特集))
• C-12-34 LCDドライバ向け2.0Gb/sクロック・エンベッド伝送技術の開発(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-17 CMOS高速クロック&データリカバリ回路の開発
• C-12-35 CDR協調型デュオバイナリDecision Feedback Equalizer(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-11 フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz 4相クロック発生回路の開発

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