水野 正之 | 日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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概要
関連著者
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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水野 正之
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日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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梶田 幹浩
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大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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佐藤 隆徳
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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伊藤 浩
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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日本電気株式会社
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山口 博史
Nec Corporation
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日本電気株式会社
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中野 俊彦
日本電気株式会社
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松島 祐介
日本電気株式会社
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住 能和
NEC情報システムズ
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山信田 恒
日本電気株式会社
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南 公一郎
NEC Corporation
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中野 俊彦
NEC Corporation
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松島 祐介
NEC Corporation
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山信田 恒
NEC Corporation
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本村 真人
NECシリコンシステム研究所
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安生 健一朗
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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藤井 太郎
日本電気株式会社
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本村 真人
日本電気株式会社
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野村 昌弘
日本電気株式会社
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安生 健一朗
日本電気株式会社
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若林 一敏
日本電気株式会社
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広田 義則
日本電気株式会社
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中澤 陽悦
日本電気株式会社
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本村 真人
Nec シリコンシステム研究所
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藤井 太郎
NECシリコンシステム研究所
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本村 真人
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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若林 一敏
日本電気株式会社 C&c メディア研究所
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広田 義則
Nec R&dサポートセンター
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STARC
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水野 正之
Nec システムデバイス研
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廣田 義則
Nec R&dサポートセンター
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野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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山品 正勝
NEC
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青野 正和
物材機構mana
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水野 正之
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副島 康志
NECエレクトロニクス
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NECエレクトロニクス
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水野 正之
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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帰山 隼一
NECシステムデバイス研究所
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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山口 晃一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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山道 新太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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深石 宗生
Nec
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深石 宗生
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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大井 康
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NEC Engineering, Ltd.
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NEC Corporation
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日本電気マイコンテクノロジー(株)
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NEC情報メディア研究所
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日本電気株式会社
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穂積 政俊
日本電気株式会社
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柴山 充文
日本電気株式会社
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中沢 陽悦
日本電気株式会社
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大西 修
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日本電気株式会社
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仙田 裕三
日本電気株式会社
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片山 陽一
日本電気株式会社
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三木 則之
Necマイコンテクノロジー
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横山 裕
Nec C&cメディア研究所
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相本 代志治
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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伴野 直樹
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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伴野 直樹
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斎藤 英彰
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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NECエレクトロニクス
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葉山 浩
NECエレクトロニクス
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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黒田 忠広
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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吉田 洋一
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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大西 修
Nec 情報メディア研究所
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斎藤 英彰
日本電気株式会社
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村松 良徳
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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鈴木 一正
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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中川 源洋
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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大内 明
日本電気株式会社システム実装研究所
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- C-12-1 大規模システムLSI向け積層フレックスメモリ(C-12.集積回路,一般セッション)
- 1GHz無制限位相調整が可能なディジタルDLL
- C-12-12 ディジタルDLLにおけるディレイライン制御方式の検討
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- 1チップMPEG-2 MP@MLビデオ符号化LSIの開発
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- C-12-28 高Q値オンチップインダクタ設計のための検討
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- O.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループ ポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 0.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- 1GHz無制限位相調整が可能なディジタルDLL
- C-12-6 誘導結合チップ間リンクの通信距離拡張技術(C-12.集積回路,一般セッション)
- 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- C-12-34 LCDドライバ向け2.0Gb/sクロック・エンベッド伝送技術の開発(C-12.集積回路,一般セッション)
- スーパーコンピュータSXにおける熱設計およびオンチップ温度観測(高性能プロセッサ・システムLSIの実装設計,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地)
- スーパーコンピュータSXにおける熱設計およびオンチップ温度観測(高性能プロセッサ・システムLSIの実装設計,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地)
- タイミングマージンテスト機能を有する1GHz-2GHz4相クロック発生器(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- タイミングマージンテスト機能を有する1GHz-2GHz 4相クロック発生器 (情報センシング)
- ジッタオーバサンプリング技術を用いた1ps分解能ジッタ測定マクロの開発(VLSI一般(ISSCC2006特集))
- 10Gb/s/ch 50mW 120×130μm^2クロックリカバリ回路(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 3-2 デシミクロンCMOSシステムLSIの低消費電力技術とチップアーキテクチャ (3. 基盤技術)