3-2 デシミクロンCMOSシステムLSIの低消費電力技術とチップアーキテクチャ (3. 基盤技術)
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概要
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1億超トランジスタを集積するデシミクロンCMOS世代のシステムLSIではデバイスの微細化と回路の大規模化から低消費電力技術が重要となる. チップ性能向上の観点からはますます配線遅延の影響が大きくなり, オンチップのインタコネクションネットワーク技術が重要になる. 本稿では更にチップアーキテクチャに踏み込み, デシミクロン世代のシステムLSIにふさわしい新たな付加価値について考察する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-01
著者
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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水野 正之
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
相本 代志治
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
水野 正之
Nec システムデバイス研
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