感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(<特集>チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
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概要
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我々は,LSIと実装基板の接続領域の配線技術,5μm厚めっきCu多層配線技術及びCu配線間への陽極酸化アルミナを用いたキャパシタ技術の開発に成功した.本技術によるLSIサンプルでは,多層配線では通常のAI配線LSIより5倍のIR-Drop改善効果を,陽極酸化アルミナキャパシタでは,200MHz異常で20dbμAの高周波ノイズ低減を実証した.本技術はウェットプロセスを基本としているため,今後のLSIの電気特性改善やコスト低減に対して有効であり,実装基板とのデザインルール差を緩和できる有望な技術である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-10
著者
-
水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
水野 正之
日本電気株式会社
-
副島 康志
NECエレクトロニクス
-
川野 連也
NECエレクトロニクス
-
川野 達也
Necエレクトロニクス株式会社実装技術部
-
川野 連也
Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
-
菊池 克
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
山道 新太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
川野 達也
Necエレクトロニクス
-
石井 康博
日本電気株式会社
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