次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップーパッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5〜10μmであり、層間絶縁膜には有機樹脂を用いる。チップレベルでの多層配線(スーパーコネクト)では樹脂CMP技術による高信頼な3層配線を実現し、FCBGAパッケージの長期信頼性を確認した。Cu板を支持体に用いたパッケージレベルでの多層配線により、支持体と多層配線間にCPU級の多ピンLSIを内蔵する新たな構造のシームレスパッケージを開発し、機器動作を実証した。本シームレスパッケージは、現状のFCBGAパッケージに対して薄型化、高放熱特性及び優れた電源供給能力を有する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-29
著者
-
副島 康志
NECエレクトロニクス
-
川野 連也
NECエレクトロニクス
-
川野 達也
Necエレクトロニクス株式会社実装技術部
-
川野 連也
Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
-
森 健太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
中島 嘉樹
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
菊池 克
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
山道 新太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
川野 達也
Necエレクトロニクス
-
山道 新太郎
日本電気(株)
-
森 健太郎
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
菊池 克
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
村井 秀哉
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
大島 大輔
日本電気(株)システム実装研究所
-
中島 嘉樹
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
村上 朝夫
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
川野 連也
Necエレクトロニクス(株)実装技術部
-
大島 大輔
日本電気株式会社システム実装研究所
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