電源/グランド特性に優れるコアレス基板を用いたPackage-on-Package構造 : MLTSの電気特性と新規PoP構造(<特集>チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
組立高さの低背化と低反り化を実現する新規PoP(Package on Package)用パッケージを開発した。本パッケージのインターポーザ基板には、従来のビルドアップ基板よりも、1/2程度の厚みと信号伝送特性、電源/グランド特性に優れたコアレス基板MLTS(Multi-Layer Thin Substrate)を採用している。本パッケージでは、MLTS工程中の支持体である銅板をエッチングすることで高さ125μm、ピッチ0.5mmの銅ポストを作り込み、それらを外部端子に利用する。さらに低反り化対策として、チップ搭載面全体をモールド樹脂で封止することにより剛性を確保している。本パッケージは、PoP構造であっても取り付け高さを低くでき、低反りを実現する技術として有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-10
著者
-
堺 淳
日本電気株式会社生産技術研究所
-
渡邉 真司
日本電気株式会社
-
森 健太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
菊池 克
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
山道 新太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
村上 朝夫
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
村上 朝夫
日本電気株式会社
-
堺 淳
日本電気株式会社
関連論文
- 最適要素抽出法による高速・高密度半導体パッケージモデリング(パッケージの電気解析・CAD技術,次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
- C-2-94 OSE法を用いた不連続部を有する高速・高密度半導体パッケージの簡易等価回路モデリング(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-92 チップ・パッケージ・ボード統合設計におけるOSE法の提案(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 (シリコン材料・デバイス)
- 多ピン・薄型LSI内蔵パッケージの電気特性評価 (先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文特集)
- 高密度チップ間接続構造パッケージの開発
- 多ピン・薄型LSI内蔵パッケージの電気特性評価(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 電源/グランド特性に優れるコアレス基板を用いたPackage-on-Package構造 : MLTSの電気特性と新規PoP構造(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 電源/グランド特性に優れるコアレス基板を用いたPackage-on-Package構造 : MLTSの電気特性と新規PoP構造(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 銅ポストを有する薄型コアレス配線基板を用いたPOP用パッケージ (MEMS 2006 第16回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集)
- C-2-63 導体の表面粗さがビルドアップ基板の高周波伝送特性に与える影響(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- FCBGAパッケージ基板の電気特性 : MLTSと従来ビルドアップ基板の比較(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
- FCBGAパッケージ基板の電気特性 : MLTSと従来ビルドアップ基板の比較(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
- B-4-1 基板ノイズを低減するλ/4型ノイズ抑制構成についての検討(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- C-3-49 20Gbps/ch光モジュールを用いたLSI間信号伝送(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-74 超高密度光モジュールを用いたLSI間光電気信号伝送(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 超薄型高密度基板を用いた高性能FCBGA(SiP要素技術と先端LSIパッケージ)(最近の半導体パッケージと高速伝送・高周波実装技術論文特集)
- 超高密度薄型基板を用いた高性能FCBGA
- 超高密度薄型基板を用いた高性能FCBGA
- C-2-50 コアレス基板を用いたFC-BGAパッケージの電磁界解析(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- コアレス基板MLTSの電源-GND特性評価
- 高速LSIパッケージ用薄型微細配線基板技術MLTS
- C-2-66 伝送路の接続構造における周波数特性改善の検討
- 超高密度薄型基板(MLTS)の電気特性評価
- 近接部品配置とその高周波特性について
- DSOL 技術による新規高密度 : 微細ビルドアップ基板の開発
- 高密度微細ビルドアップ基板
- LSIパッケージ用らせん配線型応力緩和構造 (MEMS 2006 第16回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集)
- フレキシブルフィルム上薄膜キャパシタの材料設計(材料設計,システム実装を支える設計・シミュレーション技術)
- 多ピン・薄型LSI内蔵パッケージの電気特性評価
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
- B-4-30 実用的な層構造を有するλ/4共振型基板内ノイズフィルタ(B-4. 環境電磁工学,一般セッション)