川野 連也 | Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

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関連著者

• 川野 連也

  Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 川野 連也

  NECエレクトロニクス

• 川野 達也

  Necエレクトロニクス

• 副島 康志

  NECエレクトロニクス

• 川野 達也

  Necエレクトロニクス株式会社実装技術部

• 栗田 洋一郎

  Necエレクトロニクス

• 栗田 洋一郎

  Necエレクトロニクス(株)

• 松井 聡

  Necエレクトロニクス

• 栗田 洋一郎

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 菊池 克

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 山道 新太郎

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 山道 新太郎

  日本電気(株)

• 森 健太郎

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 菊池 克

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 村井 秀哉

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 大島 大輔

  日本電気(株)システム実装研究所

• 中島 嘉樹

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 村上 朝夫

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 水野 正之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 水野 正之

  日本電気株式会社

• 益 一哉

  東京工業大学

• 本橋 紀和

  NECエレクトロニクス

• 天川 修平

  東京工業大学

• 高橋 信明

  NECエレクトロニクス株式会社実装技術部

• 小室 雅宏

  NECエレクトロニクス株式会社実装技術部

• 中島 嘉樹

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 天川 修平

  東京工業大学統合研究院

• 石井 康博

  日本電気株式会社

• 川野 連也

  Necエレクトロニクス(株)実装技術部

• 齋藤 武博

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 水野 正之

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 加藤 理

  沖電気工業株式会社atp生産本部

• 内山 士郎

  エルピーダメモリ株式会社

• 柴田 佳世子

  エルピーダメモリ株式会社

• 山田 淳二

  エルピーダメモリ株式会社

• 石野 正和

  エルピーダメモリ株式会社

• 池田 博明

  エルピーダメモリ株式会社

• 江川 良実

  沖電気工業株式会社ATP生産本部

• 佐伯 吉浩

  沖電気工業株式会社ATP生産本部

• 菊地 秀和

  沖電気工業株式会社ATP生産本部

• 柳澤 あづさ

  沖電気工業株式会社ATP生産本部

• 三橋 敏郎

  沖電気工業株式会社ATP生産本部

• 土屋 泰章

  NECエレクトロニクス(株)

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 冨田 隆治

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 是常 数久

  NECエレクトロニクス(株)

• 森下 佳昭

  NECエレクトロニクス(株)

• 川野 達也

  NECエレクトロニクス(株)

• 森下 佳昭

  Necエレクトロニクス株式会社第二soc事業本部socシステム事業部

• 森 健太郎

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 菊地 秀和

  沖電気工業(株)

• 益 一哉

  東京工業大学統合大学院

• 石野 正和

  エルピーダメモリ

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• 大島 大輔

  日本電気株式会社システム実装研究所

• 土屋 泰章

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術事業部

• 三橋 敏郎

  沖電気工業

• 江川 良実

  沖電気工業(株)

• 土屋 泰章

  Necエレクトロニクス

• 山田 淳二

  東京大学大学院情報理工学系研究科電子情報学専攻

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著作論文

• 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 (シリコン材料・デバイス)
• 三次元LSIチップ間配線技術
• 貫通ビアを用いた積層DRAM向け高密度パッケージ開発(高密度SiP・3次元実装技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
• C-12-4 高密度貫通電極スペーサーを用いたワイドバスCoC(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
• 広帯域・大容量メモリ搭載SMAFTIパッケージ技術 (電子デバイス特集) -- (先端製品を支える共通技術・基盤技術)
• 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• ULSI微細Cuダマシン配線の応力誘起ボイドに関する3-D弾塑性有限要素解析
• 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
• 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
• 次世代高密度パッケージ"SMAFTI"(パッケージ基板技術の最新動向,半導体パッケージ技術の最新動向)
• 三次元LSIチップ間配線技術
• 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術

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