貫通ビアを用いた積層DRAM向け高密度パッケージ開発(高密度SiP・3次元実装技術,<特集>高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
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概要
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高速化と高密度化を実現する貫通ビアを用いた積層DRAM向け三次元パッケージの開発を行った.DRAMプロセスと整合性のあるPoly-Si貫通ビアを採用した上で,貫通ビアレイアウト及びプロセス条件の最適化により高スループットでのPoly-Si埋込を実現した.チップ積層ではSMAFTI技術を導入することにより,全工程ウェーハレベルでの組立てを行い,8積層までの良好な積層接続を確認した,また,実デバイスでの動作検証を512Mb DRAMとメモリコントローラとしてのI/F-Chipの組合せで行い,DRAMリード/ライトの基本動作確認を行った.更に,インタポーザ配線の高速伝送性を,シミュレーションと実測の双方で評価を行い,3 Gbit/s/pinの伝送性能を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-01
著者
-
栗田 洋一郎
Necエレクトロニクス
-
栗田 洋一郎
Necエレクトロニクス(株)
-
松井 聡
Necエレクトロニクス
-
加藤 理
沖電気工業株式会社atp生産本部
-
副島 康志
NECエレクトロニクス
-
川野 連也
NECエレクトロニクス
-
高橋 信明
NECエレクトロニクス株式会社実装技術部
-
小室 雅宏
NECエレクトロニクス株式会社実装技術部
-
内山 士郎
エルピーダメモリ株式会社
-
柴田 佳世子
エルピーダメモリ株式会社
-
山田 淳二
エルピーダメモリ株式会社
-
石野 正和
エルピーダメモリ株式会社
-
池田 博明
エルピーダメモリ株式会社
-
江川 良実
沖電気工業株式会社ATP生産本部
-
佐伯 吉浩
沖電気工業株式会社ATP生産本部
-
菊地 秀和
沖電気工業株式会社ATP生産本部
-
柳澤 あづさ
沖電気工業株式会社ATP生産本部
-
三橋 敏郎
沖電気工業株式会社ATP生産本部
-
川野 達也
Necエレクトロニクス株式会社実装技術部
-
川野 連也
Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
-
菊地 秀和
沖電気工業(株)
-
石野 正和
エルピーダメモリ
-
川野 達也
Necエレクトロニクス
-
三橋 敏郎
沖電気工業
-
江川 良実
沖電気工業(株)
-
栗田 洋一郎
ルネサス エレクトロニクス株式会社
-
山田 淳二
東京大学大学院情報理工学系研究科電子情報学専攻
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