無電解CuNiPのSnAgCuはんだバンプ接続信頼性

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概要

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• 本研究では低コスト・高信頼性UBMの開発を目的として,Au表面処理をしない無電解CuNiPのSuAgCuはんだバンプ接続信頼性について検討を行った。Cu含有量が45at%のCuNiPでは接続信頼性の悪化要因となりうる(Ni,Cu)_3Sn_4, Ni_3P,カーケンダルボイド,AuSn合金の形成を抑制でき,175℃,750hまで良好な長期接続信頼性が実現できた。Au表面処理なしのCuNiPでも,高活性フラックスを用いることで良好なはんだ接続が可能であり,耐食性,バリア性についても問題ないことを確認した。

• 2008-07-01

著者

• 高橋 信明

  NECエレクトロニクス株式会社実装技術部

• 山崎 隆雄

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 高橋 信明

  Necエレクトロニクス生産本部実装技術部

• 曽川 禎道

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 曽川 禎道

  Nec 実装研

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