水野 正之 | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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水野 正之
日本電気株式会社
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水野 正之
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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水野 正之
Nec システムデバイス研
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水野 正之
Necシステムデバイス研究所
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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高宮 真
NECシステムデバイス研究所
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高宮 真
NEC シリコンシステム研究所
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水野 正之
NEC シリコンシステム研究所
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中村 和之
(現)九州工学大学
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中村 和之
NEC シリコンシステム研究所
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深石 宗生
日本電気株式会社
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深石 宗生
Nec
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深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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工藤 義治
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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工藤 義治
Nec シリコンシステム研
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西 直樹
NECシステムデバイス研究所
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副島 康志
NECエレクトロニクス
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川野 連也
NECエレクトロニクス
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相本 代志治
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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川野 達也
Necエレクトロニクス株式会社実装技術部
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川野 連也
Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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菊池 克
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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山道 新太郎
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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川野 達也
Necエレクトロニクス
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石井 康博
日本電気株式会社
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西 直樹
NECシステムIPコア研究所
著作論文
- C-12-12 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロ(II)
- シグナルインテグリティ評価用100-Gsa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- C-12-6 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- O.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループ ポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 0.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発
- LSIにおけるシグナルインテグリティ問題と対策 : LSI性能の継続的な進化のために
- 感光性樹脂を用いた5μm厚めっきCuによる多層配線技術(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 3-2 デシミクロンCMOSシステムLSIの低消費電力技術とチップアーキテクチャ (3. 基盤技術)