0.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発
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概要
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近年、集積回路チップ間や筐体内のボード間におけるデータ伝送の大容量化に伴って伝送路1本あたりの伝送量が増大しており、これに伴って高周波信号の減衰量が増大してきている。周波数に依存する信号減衰は伝送データの符号間干渉(ISI)の原因であり、データ検出を困難にしている。このISIによる波形の劣化を補償するためプリエンファシスやポストイコライザなどの等化技術の開発が行われているが、10mのケーブルや1mのボードといった長距離伝送路における数Gb/sの高速伝送は困難になりつつある。本論文ではAWG28ケーブル10mを用いて5Gb/s伝送を実現した、0.13μmCMOSプロセス試作のトランシーバチップについて述べる。本トランシーバチップにおけるポストイコライザはフィードバックループを排除することで高速化を図っており、2.5GHzで9dBの減衰補償が可能である。また、同時にプリエンファシスを用いることで、10mの伝送(27dBの減衰)が可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-20
著者
-
水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
水野 正之
日本電気株式会社
-
水野 正之
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
深石 宗生
日本電気株式会社
-
深石 宗生
Nec
-
深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
工藤 義治
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
水野 正之
Nec システムデバイス研
-
工藤 義治
Nec シリコンシステム研
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