天川 修平 | 東京工業大学

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概要

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関連著者

• 天川 修平

  東京工業大学

• 天川 修平

  東京工業大学統合研究院

• 益 一哉

  東京工業大学

• 石原 昇

  東京工業大学総合研究院

• 石原 昇

  東京工業大学

• 益 一哉

  東京工業大学統合大学院

• 伊藤 浩之

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊藤 浩之

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 伊藤 浩之

  東京工業大学

• 李 尚曄

  東京工業大学統合研究院

• 李 尚曄

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 李 尚嘩

  東京工業大学精密工学研究所

• 中島 智也

  東京工業大学統合研究院

• 白根 篤史

  東京工業大学統合研究院

• 中野 和雄

  東京工業大学統合研究院

• 関口 貴之

  東京工業大学統合研究院

• 白根 篤史

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 松井 聡

  Necエレクトロニクス

• 本橋 紀和

  NECエレクトロニクス

• 副島 康志

  NECエレクトロニクス

• 川野 連也

  NECエレクトロニクス

• 川野 達也

  Necエレクトロニクス株式会社実装技術部

• 大鶴 基格

  東京工業大学統合研究院

• 佐渡島 進

  東京工業大学統合研究院

• 前川 智明

  東京工業大学統合研究院

• 水落 裕

  東京工業大学統合研究院

• 田野井 聡

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 大鶴 基格

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 栗田 洋一郎

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 前川 智明

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 野村 聡

  株式会社堀場製作所開発センター

• 野村 聡

  (株)堀場製作所開発センター

• 野村 聡

  堀場製作所

• 栗田 洋一郎

  Necエレクトロニクス

• 栗田 洋一郎

  Necエレクトロニクス(株)

• 小林 由佳

  東京工業大学統合研究院

• 野村 聡

  株式会社堀場製作所

• 川野 連也

  Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 天川 修平

  広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻

• 益 一哉

  東工大

• 町田 克之

  Nttアドバンストテクノロジ株式会社

• 藤原 琢

  東京工業大学統合研究院

• 山内 悠

  株式会社堀場製作所

• 田邉 裕貴

  株式会社堀場製作所

• 小西 敏文

  NTTアドバンストテクノロジ株式会社

• 川野 達也

  Necエレクトロニクス

• 鈴木 成人

  東京工業大学統合研究院

• 天川 修平

  東工大

• 上村 龍也

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 宮下 一哉

  東京工業大学統合研究院

• 藤原 琢

  東京工業大学

• 野村 聡

  株式会社堀場製作所 開発センター

• 天川 修平

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 小西 敏文

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 町田 克之

  東京工業大学,NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 小西 敏文

  NTTアドバンステクノロジ株式会

• 佐藤 高史

  東京工業大学統合研究院

• 町田 克之

  NTTアドバンステクノロジ

• 畠山 英樹

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 上道 雄介

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 野村 聡

  堀場製作所 開セ

• 高木 辰則

  東京工業大学統合研究院

• Othman Mousa

  東工大

• 石原 昇

  東工大

• 上薗 巧

  東京工業大学統合研究院

• 町田 克之

  東京工業大学

• 堺 淳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 堺 淳

  日本電気(株)生産技術研究所

• 佐藤 高史

  京都大学大学院情報学研究科

• 富 万林

  東京工業大学統合研究院

• 上薗 巧

  京都大学大学院情報学研究科:(独)日本学術振興会

• 大下 隆生

  東京工業大学統合研究院

• 松井 聡

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 本橋 紀和

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 副島 康志

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 川野 連也

  ルネサス エレクトロニクス株式会社

• 堺 淳

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• 高木 辰則

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 上道 雄介

  (株)フジクラ光電子技術研究所

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著作論文

• C-2-57 CMOS RFパワーアンプにおけるプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-2-14 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• RF CMOS集積回路 : Reconfigurability and Scalability(招待講演,技術展示,リコンフィギャブルハードウェア,10周年記念イベント)
• 三次元LSIチップ間配線技術
• ウェーハレベルパッケージ技術による高周波インダクタの開発と回路応用(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
• 6.CMOS集積回路とMEMSの融合(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
• C-12-17 2.8-11GHz広帯域差動リング型電圧制御発振器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-13 CMOSインバータ型高利得広帯域RF可変増幅回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-3 インジェクションロックを用いたCMOS QPSK RF信号発生回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-2 デジタルベーススケーラブルQPSK RF変調回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-17 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の評価(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• A-1-42 ISFETを用いたワイヤレスpHセンサモジュール(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• C-12-59 オンチップRC配線と伝送線路による高速デジタル信号伝送特性の比較(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-58 クロックドインバータ型D-FFによるMUX/DEMUXの研究(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-12 Wide-Band, Linear Low Noise Amplifier Design
• C-12-53 キャパシティブプリエンファシス技術を導入したオンチップRC伝送回路と伝送線路回路の比較(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-52 高速オンチップシリアル伝送用4:1 MUX回路の検討(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-25 CMOSリング型I/Q出力電圧制御発振器の広帯域化に関する検討(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-23 スケーラブル広帯域RF QPSK変調回路の検討(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-22 Time To Analog Converterを用いたスケーラブルCMOS RF信号発生回路の検討(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-16 CMOSインバータ回路をベースとしたインダクタレス広帯域RF CMOS低雑音増幅回路(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-50 ISFETを用いたワイヤレスpHセンシング用低電力FM送信IC(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-36 注入同期を用いた低位相雑音リングVCO型PLL(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-32 注入同期を用いたスケーラブル広帯域リング型電圧制御発振器回路(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
• A-3-19 セル間接続方向限定性とセル配置粗密性を考慮した配線長分布(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• C-12-31 CMOSマルチリングオシレータを用いたRF信号発生回路の検討(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-44 2ステップゲイン広帯域CMOS増幅ICの試作評価結果(電力増幅器・低雑音増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-15 チップ内伝送用高速低電力MUX/DEMUXの検討(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-26 Si基板上におけるコプレーナ-ストリップ差動伝送線路の設計(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-29 RF CMOS回路の高性能化に向けたオンチップ/オフチップインダクタ特性の比較(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-33 抵抗帰還を用いたインバータ型オンチップ出力バッファの低ジッタ化設計(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-50 CMOS LC-VCOのプロセス世代依存性の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-60 インバータ構成を用いたスケーラブル広帯域RF CMOS低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• A-1-12 広帯域CMOS差動型リングVCO(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• C-12-45 RF CMOS低雑音増幅回路特性のプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
• 21401 "デバイス限界説"がシステム限界で覆る : 集積システム微細化への挑戦と異分野連携への期待(基調講演,デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• C-2-86 異なる減衰特性を有する配線からの漏話を考慮した実効減衰量(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• 三次元LSIチップ間配線技術
• C-12-36 MEMS静電アクチュエータに向けた高電圧CMOSチャージポンプ回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-11 インジェクションロックを適用したインダクタレス位相同期ループ回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• シリコン基板上の低損失ミリ波帯受動素子
• 3-4 RF CMOS集積回路技術における挑戦(3.通信基盤技術の新たな挑戦,情報爆発時代に向けた新たな通信技術-限界打破への挑戦-)
• 三次元IC間に挿入された配線体の高周波伝送特性

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