伊藤 浩之 | 東京工業大学
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概要
関連著者
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益 一哉
東京工業大学
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伊藤 浩之
東京工業大学
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伊藤 浩之
東京工業大学ソリューション研究機構
-
伊藤 浩之
東京工業大学精密工学研究所
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岡田 健一
東京工業大学
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石原 昇
東京工業大学
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岡田 健一
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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岡田 健一
Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn
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石原 昇
東京工業大学総合研究院
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伊藤 達也
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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天川 修平
東京工業大学
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天川 修平
東京工業大学統合研究院
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杉田 英之
東京工業大学統合研究院
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山内 良三
(株)フジクラ光電子技術研究所
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山内 良三
(株)フジクラ
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山内 良三
(株)フジクラ光エレクトロニクス研究所
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山内 良三
フジクラ
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木村 実人
東京工業大学統合研究院
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山内 良三
フジクラ 光量子技研
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畠山 英樹
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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石井 隆宏
東京工業大学統合研究院
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相沢 卓也
(株)フジクラ光電子技術研究所
-
相沢 卓也
株式会社フジクラ 光電子技術研究所
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李 尚曄
東京工業大学統合研究院
-
佐渡島 進
東京工業大学統合研究院
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大橋 一磨
東京工業大学統合研究院
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李 尚曄
東京工業大学ソリューション研究機構
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前川 智明
東京工業大学統合研究院
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峰山 亜希子
東京工業大学統合研究院
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椎野 雄介
東京工業大学ソリューション研究機構
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富 万林
東京工業大学統合研究院
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前川 智明
東京工業大学ソリューション研究機構
-
李 尚嘩
東京工業大学精密工学研究所
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池田 翔
東京工業大学ソリューション研究機構
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小西 敏文
NTTアドバンステクノロジ株式会
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小林 由佳
東京工業大学統合研究院
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野村 聡
株式会社堀場製作所
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佐藤 正和
株式会社フジクラ電子デバイス研究所
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益 一哉
東京工業大学統合大学院
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山内 悠
株式会社堀場製作所
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田邉 裕貴
株式会社堀場製作所
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中島 智也
東京工業大学統合研究院
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町田 克之
東京工業大学
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五味 振一郎
東京工業大学精密工学研究所
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堺 淳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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堺 淳
日本電気(株)生産技術研究所
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上村 龍也
東京工業大学ソリューション研究機構
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清田 淳紀
東京工業大学統合研究院
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糸井 和久
(株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
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佐藤 正和
(株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
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山内 拓弥
東京工業大学統合研究院
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糸井 和久
(株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部
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糸井 和久
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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藤原 琢
東京工業大学
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堺 淳
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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米澤 慎
東京工業大学ソリューション研究機構
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池田 翔
東京工業大学精密工学研究所
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蒋 浩
東京工業大学精密工学研究所
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小西 敏文
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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町田 克之
東京工業大学,NTTアドバンステクノロジ株式会社
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野村 聡
(株)堀場製作所開発センター
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野村 聡
堀場製作所
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年吉 洋
東京大学
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町田 克之
NTTアドバンステクノロジ
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天川 修平
広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
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白根 篤史
東京工業大学統合研究院
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町田 克之
Nttアドバンストテクノロジ株式会社
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大鶴 基格
東京工業大学統合研究院
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福田 聡
東京工業大学統合研究院
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小西 敏文
NTTアドバンストテクノロジ株式会社
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水落 裕
東京工業大学統合研究院
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井上 淳平
東京工業大学精密工学研究所
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田野井 聡
東京工業大学ソリューション研究機構
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伊藤 雄作
東京工業大学精密工学研究所
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宮下 一哉
東京工業大学統合研究院
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井上 淳平
東京工大 精密工研
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伊藤 達也
((株)フジクラ電子デバイス研究所
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金 章九
東京工業大学統合研究院
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伊藤 雄作
東京工業大学統合研究院
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大下 隆生
東京工業大学統合研究院
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石原 昇
東京工業大学ソリューション研究機構
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白根 篤史
東京工業大学ソリューション研究機構
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益 一哉
東京工業大学ソリューション研究機構
-
大鶴 基格
東京工業大学ソリューション研究機構
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丸山 達也
東京工業大学
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後藤 邦彦
東京工業大学ソリューション研究機構
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冨松 一幾
東京工業大学ソリューション研究機構
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益 一哉
東京工業大学精密工学研究所
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天川 修平
広島大学大学院先端物質科学研究科
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石原 昇
東京工業大学精密工学研究所
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方 一鳴
東京工業大学ソリューション研究機構
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金丸 法史
東京工業大学ソリューション研究機構
-
町田 克之
東京工業大学社:NTTアドバンステクノロジ株式会社
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蒋 浩
東京工業大学ソリューション研究機構
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佃 真文
東京工業大学
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山根 大輔
東京工業大学
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加賀谷 賢
東京工業大学
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松島 隆明
NTTアドバンステクノロジ
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丸山 達也
東京工業大学ソリューション研究機構
著作論文
- C-2-57 CMOS RFパワーアンプにおけるプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-14 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-12-64 WLP技術を用いた低雑音増幅器の検討(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
- C-12-8 低電力・小面積CMOS擬似ランダムパターンデータ発生回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-53 伝送線路配線を用いたオンチップネットワークのための低消費電力1:4デマルチプレクサ(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-60 インバータ構成を用いたスケーラブル広帯域RF CMOS低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- A-1-12 広帯域CMOS差動型リングVCO(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-45 RF CMOS低雑音増幅回路特性のプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-5 プリエンファシスを用いたオンチップ伝送線路配線の実測評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-54 低電力オンチップパルス伝送線路配線(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-45 WLCSP技術を利用したオンチップ伝送線路配線の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-43 オンチップ伝送線路配線における低電力パルス伝送用駆動回路(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-42 プリエンファシス技術を用いたオンチップ差動伝送線路配線の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-27 90nm CMOSテクノロジーを利用した2.7mW/10GbpsオンチップLVDS型伝送線路配線(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- オンチップGHz伝送線路配線
- C-12-18 WLP技術を用いた低位相雑音なCMOS電圧制御発振器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- C-12-35 WLCSP技術を用いた高FoM電圧制御発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-28 WLCSP技術を用いた可変電力増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-27 WLCSP技術を用いた広帯域低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- A-3-18 指向性アンテナを用いたパッケージ内無線通信(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- C-12-31 高イメージ抑圧比・周波数可変域拡張回路を用いたCMOS電圧制御発振器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-98 Si CMOSプロセスによる右手・左手系伝送線路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- C-2-62 ダイアゴナル構造を用いた高密度高速プリント基板配線の研究(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- C-12-4 エッジパルス信号による低電力オンチップ高速伝送線路配線技術(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-48 ワンチップ無線通信回路に向けたWL-CSP方向性結合器の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- C-2-86 異なる減衰特性を有する配線からの漏話を考慮した実効減衰量(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- A-3-17 オンチップ差動伝送線路のWD積による損失の評価(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-15 縒り合わせオンチップ差動伝送線路のクロストーク評価(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- A-3-10 擬差動伝送線路を用いたオンチップ高密度伝送線路配線(A-3.VLSI設計技術,基礎・境界)
- A-3-9 伝送線路を用いたオンチップ高速高密度バス線路の検討(A-3.VLSI設計技術,基礎・境界)
- C-12-11 インジェクションロックを適用したインダクタレス位相同期ループ回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-58 W帯オンウエハS行列測定のためのディエンベディング手法(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
- 3-4 RF CMOS集積回路技術における挑戦(3.通信基盤技術の新たな挑戦,情報爆発時代に向けた新たな通信技術-限界打破への挑戦-)
- A-3-7 曲げおよびビアを有するオンチップ伝送線路の高周波特性評価(A-3.VLSI設計技術,基礎・境界)
- A-3-11 Si ULSI内における擬差動伝送線路の実測による評価(A-3. VLSI設計技術, 基礎・境界)
- C-12-19 近距離通信用90nm Si CMOSプロセススケーラブルRFトランシーバ(アナログ回路枝術,C-12. 集積回路,一般セッション)
- 超低電力RFCMOSトランシーバ回路技術に関する研究
- C-12-24 ISFETを用いたワイヤレスpHモニタリング用低電力FM送信IC(RF回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-34 デジタル自動校正付き注入同期型分周器および線形バラクタを用いた低電圧位相同期回路(VCO・PLL・CDR,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-27 RF CMOS受信回路モジュールの低電力・小型化(C-12.集積回路)
- C-12-26 超低電力RF CMOSウェイクアップレシーバーの検討(C-12.集積回路)
- C-12-57 ISFETを用いたpHモニタリング用低電力FM送信ICの検討(C-12.集積回路)
- C-12-62 注入同期型分周器およびC級動作VCOを用いた0.5V位相同期回路(C-12.集積回路)
- アレイ型MEMS加速度センサの基礎検討
- C-12-7 0.5V CMOSインバータベースΔΣAD変換回路(AD/DA変換器,C-12.集積回路,一般セッション)