岡田 健一 | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

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概要

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関連著者

• 岡田 健一

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 岡田 健一

  東京工業大学

• 松澤 昭

  東京工業大学

• 益 一哉

  東京工業大学

• 松澤 昭

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 岡田 健一

  Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn

• 松澤 昭

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 松沢 昭

  松下電器

• 松澤 昭

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 松澤 昭

  松下電器産業(株)

• 松澤 昭

  松下電器産業(株)半導体社半導体先行開発センター

• 伊藤 浩之

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊藤 浩之

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 松澤 昭

  松下電器産業株式会社半導体開発本部

• 松沢 昭

  松下電器産業

• 岡田 健一

  東京工大 大学院理工学研究科

• 菅原 弘雄

  東京工業大学精密工学研究所

• 菅原 弘雄

  東京工業大学統合研究院

• 松澤 昭

  松下電器産業

• 松澤 昭

  松下電器産業株式会社

• 浅田 大樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 松沢 昭

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 浅田 大樹

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 伊藤 達也

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 安藤 真

  東京工業大学 電気電子工学専攻

• 安藤 真

  東京工業大学

• 吉原 義昭

  東京工業大学統合研究院

• 木村 実人

  東京工業大学統合研究院

• 平野 拓一

  東京工業大学

• 原 翔一

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 松下 幸太

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 原 翔一

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 松下 幸太

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 広川 二郎

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 広川 二郎

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 広川 二郎

  東京工業大学

• 山内 良三

  (株)フジクラ

• 山内 良三

  (株)フジクラ光エレクトロニクス研究所

• 山内 良三

  フジクラ

• 相沢 卓也

  株式会社フジクラ 光電子技術研究所

• 山内 良三

  フジクラ 光量子技研

• 金丸 正樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 伊藤 猛

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 伊藤 猛

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 畠山 英樹

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 山口 達也

  東京工業大学教育工学開発センター

• 山内 良三

  (株)フジクラ光電子技術研究所

• 相沢 卓也

  (株)フジクラ光電子技術研究所

• 山口 達也

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 南 亮

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 山口 達也

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 宮原 正也

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 今西 大輔

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 佐藤 正和

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 高山 直輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 村上 塁

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 李 寧

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 石井 隆宏

  東京工業大学統合研究院

• 大橋 一磨

  東京工業大学統合研究院

• 文仙 啓吾

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 佐藤 高洋

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• ムサ アハマド

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 杉田 英之

  東京工業大学統合研究院

• 宮原 正也

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 村上 塁

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理専攻

• 宮原 正也

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 李 寧

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 井上 淳平

  東京工業大学精密工学研究所

• 竹内 康揚

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 竹内 康揚

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 安藤 真

  東京工業大学大学院理工学研究科

• チャイヴィパース ウィン

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 小野 雄也

  東京工業大学

• 伊藤 利彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 上薗 巧

  東京工業大学統合研究院

• 糸井 和久

  (株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 佐藤 正和

  (株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 井上 淳平

  東京工大 精密工研

• 上薗 巧

  京都大学大学院情報学研究科:(独)日本学術振興会

• 伊藤 雄作

  東京工業大学統合研究院

• 糸井 和久

  (株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部

• 糸井 和久

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• チャイヴィパース ウィン

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 平野 拓一

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 津久井 裕基

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 浅田 友輔

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 小林 由佳

  東京工業大学統合研究院

• 古谷 聡

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• ウィン チャイヴィパース

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 山口 達也

  富士通九州ディジタルテクノロジ株式会社

• 福田 聡

  東京工業大学統合研究院

• 洪 芝英

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 京極 貴規

  東京工業大学 統合研究院

• 川添 大輔

  東京工業大学 統合研究院

• 伊藤 雄作

  東京工業大学精密工学研究所

• ウィン チャイヴィパース

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 富 万林

  東京工業大学統合研究院

• 川添 大輔

  東京工業大学統合研究院

• 村上 累

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• デン ウェイ

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 卜 慶紅

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 津久井 祐基

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 卜 慶紅

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 平地 康剛

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小山 佳也

  株式会社ウィルコム

• 平地 康剛

  株式会社アムシス

• 小山 佳也

  (株)ウィルコム

• 平地 康剛

  (株)アムシス

• 平出 賢吉

  日本無線株式会社

• 伊藤 彰吾

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 吉原 慶

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 堀池 靖浩

  物質･材料研究機構

• 阿部 博史

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 堀池 靖浩

  物質・材料研究機構

• 堀池 靖浩

  科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業 科学技術振興事業団

• 佐渡島 進

  東京工業大学統合研究院

• 前川 智明

  東京工業大学統合研究院

• 五味 振一郎

  東京工業大学精密工学研究所

• 堺 淳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 堺 淳

  日本電気(株)生産技術研究所

• 韓 燦教

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 清田 淳紀

  東京工業大学統合研究院

• Horiike Yasuhiro

  Faculty Of Engineering Toyo University

• Horiike Yasuhiro

  National Institute For Materials Science

• Horiike Yasuhiro

  Toshiba Vlsi Research Center

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Electrical & Electronics Engineering Tokyo University

• Horiike Yasuhiro

  Research Center For Integrated Systems Hiroshima University:(present Address)department Of Electrica

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Materials Engineering School Of Engineering The University Of Tokyo

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Materials Science University Of Tokyo

• Horiike Yasuhiro

  Faculty Of Engineering Hiroshima University

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Electrical Engineering Hiroshima University

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Electrical Engineering Toyo University

• 中島 英斉

  東京工業大学精密工学研究所

• 山内 拓弥

  東京工業大学統合研究院

• 山田 智浩

  東京工業大学精密工学研究所

• 堀池 靖浩

  広島大工

• 沖 明男

  物質・材料機構生体材料研究センター

• 呉 鋭

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Materials Engineering The University Of Tokyo

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Toyo University:department Of Materials Science

• 安藤 真

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 安藤 真

  東京工業大学理工学研究科

• 広川 二郎

  東京工業大学理工学研究科

• Horiike Yasuhiro

  Department Of Electrical & Electronics Engineering Toyo University

• 堺 淳

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• 前川 智明

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 白 戴和

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 佐藤 高史

  東京工業大学統合研究院

• 小澤 直行

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 石田 光一

  東京工業大学 統合研究院

• コア ヴミン

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• ドン タゴクブイ

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 野見山 陽

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 浦野 達也

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 中山 範明

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 西川 和康

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 上道 雄介

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 山内 良三

  株式会社フジクラ光エレクトロニクス研究所光通信研究部

• 山内 良三

  株式会社フジクラ

• 倉科 隆

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 伊藤 達也

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 峰山 亜希子

  東京工業大学統合研究院

• 萩原 汐

  東京工業大学統合研究院

• 中山 範明

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 相沢 卓也

  株式会社フジクラ

• 高橋 久弥

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• ゴック グエン

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 藤久 雄己

  東京工業大学統合研究院

• 石田 光一

  東京工業大学統合研究院

• 上道 雄介

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 畠山 英樹

  東京工業大学統合研究院

• 伊籐 雄作

  東京工業大学統合研究院

• 伊籐 達也

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 平尾 拓一

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 高橋 久弥

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• 韓 政勲

  東京工業大学大学院理工学研究科国際開発工学専攻

• 宮下 一哉

  東京工業大学統合研究院

• 阿部 博史

  (株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 糸井 和久

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 馬上 崇

  東京工業大学 電子物理工学専攻

• 伊藤 達也

  ((株)フジクラ電子デバイス研究所

• ニン ホンフック

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 佐藤 高史

  京都大学大学院情報学研究科

• 金 章九

  東京工業大学統合研究院

• ニン ホンフック

  東京工業大学

• 白 戴和

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 上杉 尚史

  東京工業大学精密工学研究所

• 三平 純希

  東京工業大学

• ト 慶紅

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 野見山 陽

  東京工業大学精密工学研究所

• ウェイ デン

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 馬上 崇

  東京工業大学大学院理工学研究科

• シリブラーノン ティーラショート

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 瀬尾 有輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 松博 昭

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• MUSA Ahmed

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 矢尾 裕樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• Huy Dong

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 伊藤 達也

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• MUSA Ahmed

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

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著作論文

• C-12-64 WLP技術を用いた低雑音増幅器の検討(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
• C-12-61 集積化無線送受信機におけるPA-LNA間アイソレーションの評価(C-12.集積回路,一般セッション)
• CK-2-7 日本発のミリ波実用化に向けて(CK-2.ミリ波実用化に向けたデバイス・回路・システム技術の現状と将来,ソサイエティ特別企画,ソサイエティ企画)
• CK-2-7 日本発のミリ波実用化に向けて(CK-2.ミリ波実用化に向けたデバイス・回路・システム技術の現状と将来,ソサイエティ企画)
• リコンフィギュラブルRF回路の将来展望 (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
• C-12-53 ミリ波帯CMOS回路のためのディエンベディング方法の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-54 容量感度スケーリングを用いたミリ波注入同期型発振器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-57 WCDMA受信機における段間ノッチフィルタの低雑音化に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-63 並列型ADC用の参照電圧回路のRC遅延に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-18 コンパレータノイズがA/Dコンバータの性能に与える影響に関する研究(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-19 容量DACの寄生容量がSAR ADCの精度に与える影響の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-47 オンチップ差動インダクタの構造による非対称性の解析(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-52 アクティブフィルタによるW-CDMA受信機の歪抑制に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-55 低インピーダンス伝送線路を用いたミリ波帯VCOの低雑音化の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-56 インダクタの自己共振補正を考慮したLC-VCOの最適化(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-58 ミリ波帯電力増幅器の出力整合回路における配線構造最適化の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-23 ダブルテールラッチ型コンパレータとプリアンプを用いたコンパレータの性能比較(C-12.集積回路,一般セッション)
• アナログデジタル混載LSIの実装の課題(設計・CAEによる実装イノベーション)
• C-12-60 広帯域受信機における高調波および相互変調歪の検討(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
• C-12-57 ミリ波用低雑音増幅器の寄生相互インダクタンスの影響の検討(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
• C-12-19 容量感度スケーリングを利用した微調整可能デジタル制御発振器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
• C-12-17 多分周による電圧制御発振器の低位相雑音化の検討(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
• C-12-34 分周器を含めた電圧制御発振器の最適化の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-33 伝送線路を用いた動的再構成可能Si CMOS VCOの検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• TL (Thru-Line) 校正によるパッド部のディエンベディング手法
• 10.リコンフィギュラブルRF回路の将来展望(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
• C-12-15 60GHz帯CMOS差動増幅回路の高CMRR化に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-14 2-6GHz広帯域チューナブルCMOS電力増幅器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-2-59 ダミーメタル入り伝送線路の伝搬定数の固有値解析(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-12-37 差動インダクタの信号励起モードの比較検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
• C-12-24 WCDMA無線受信機におけるノッチフィルタの歪み特性解析(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-18 集積化されたPA-LNA間のカップリング経路の実測評価(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-26 バラクタとDACを用いたデジタル制御発振器の検討(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション)
• Si CMOS基板上ダミーメタル入り伝送線路の伝搬定数の固有値解析(学生研究会,学生研究会/一般)
• C-12-35 LC型電圧制御発振器のQ値に対するレイアウト時の寄生成分の影響についての検討(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
• A-3-22 MOSFETのリーク電流ばらつき測定のための回路検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• A-3-12 歩留まり予測のためのビア数分布モデル(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• A-3-10 オンチップ伝送線路を用いた将来におけるLSIの遅延時間予測手法(A-3. VLSI設計技術, 基礎・境界)
• A-3-9 配置効率を考慮したSoCのマクロ面積配分手法(A-3. VLSI設計技術, 基礎・境界)
• C-12-28 CMOSプロセスにおける高周波向け配線構造の検討(MOSモデリング・フィルタ,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-26 差動型低雑音増幅器における利得インバランス改善の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-29 Si CMOS RF分布定数型増幅器の消費電力削減手法(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-34 Si RF CMOS分布定数型増幅器の設計(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
• 高Q値WLPインダクタおよびその5.8GHz帯LC型電圧制御発振器への応用(配線・実装技術と関連材料技術)
• C-12-34 3次元構造インダクタと底面配置回路を用いた484-μm^2 21-GHz LC-VCO(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション)
• CS-1-3 Si-CMOS基板上ダミーメタル入り伝送線路特性の固有値解析と測定(CS-1.周期系・不規則系における電磁波散乱・導波問題:理論、数値解析と応用,シンポジウムセッション)
• C-12-42 バラクタクロスカップルを用いたミリ波帯電力増幅器の検討(電力増幅器・低雑音増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• ミリ波通信で11Gビット/秒 16値QAM利用のRF ICを開発
• C-2-32 オンウェーハ測定のためのTL(Thru-Line)校正によるディエンベディング手法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• リコンフィギュラブルRF CMOS無線集積回路技術に向けた広帯域電圧制御発振器(集積エレクトロニクス)
• C-12-36 VCOと分周器を用いたGHz帯広帯域発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
• C-12-30 リコンフィギャラブルRF回路に向けた広帯域LNA(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
• C-12-28 可変インダクタを用いた広帯域CMOS VCOの設計(C-12.集積回路C(アナログ))
• 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)
• 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
• 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
• 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
• 動的再構成によるLC-VCOの広帯域化
• C-12-14 可変インダクタを用いた広帯域電圧制御発振器
• C-12-41 ミリ波帯電力増幅器における発振安定性の検討(電力増幅器・低雑音増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-38 60GHz帯単相入力差動出力増幅回路の高利得・高CMRR化に関する検討(電力増幅器・低雑音増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-60 低電源電圧動作のADCのためのボディバイアス解析(ADC,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-39 Class-C VCOを用いたクロック発生器の位相雑音特性の解析(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-38 0.5V駆動LSIの実現に向けたLC型発振器によるクロック発生の検討(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-37 リング発振器用低雑音電流源の検討(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-25 高調波抑圧機能を持つマルチバンド電力増幅器の研究(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-54 低電力オンチップパルス伝送線路配線(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
• C-12-45 WLCSP技術を利用したオンチップ伝送線路配線の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-43 オンチップ伝送線路配線における低電力パルス伝送用駆動回路(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• A-3-10 非対称Txを用いたオンチップ差動伝送線路配線におけるスケーリングの影響の検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• C-12-27 90nm CMOSテクノロジーを利用した2.7mW/10GbpsオンチップLVDS型伝送線路配線(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-37 高速信号伝送に向けたCML型オンチップ差動伝送線路配線の検討(C-12.集積回路ABC,一般講演)
• WLP技術によるオンチップ受動部品の形成
• C-2-48 ウェハレベルパッケージ内蔵高性能オンチップインダクタ(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
• C-12-28 60GHz注入同期型周波数4逓倍器(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-27 トランジスタの寄生容量を考慮した電圧制御発振器の最適設計手法の検討(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション)
• オンチップGHz伝送線路配線
• A-3-21 配線長分布を用いた65nmプロセスにおける配線構造最適化手法(A-3. VLSI設計技術)
• A-3-4 配置効率を考慮した配線長分布予測
• C-12-18 WLP技術を用いた低位相雑音なCMOS電圧制御発振器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
• C-12-35 WLCSP技術を用いた高FoM電圧制御発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-28 WLCSP技術を用いた可変電力増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-27 WLCSP技術を用いた広帯域低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• A-3-18 指向性アンテナを用いたパッケージ内無線通信(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• C-12-23 Switched Capacitor Filter(SCF)技術を用いたサンプリングミキサの検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-16 可変インダクタを用いたマルチバンド低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-25 容量帰還による広帯域低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-41 伝送線路を用いた多対多オンチップ高速配線の実測による評価(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-31 高イメージ抑圧比・周波数可変域拡張回路を用いたCMOS電圧制御発振器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• 5.高周波シリコンCMOS送受信システムチップ(ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
• C-12-20 広帯域化回路を用いたCMOS LC型電圧制御発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-2-98 Si CMOSプロセスによる右手・左手系伝送線路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-2-62 ダイアゴナル構造を用いた高密度高速プリント基板配線の研究(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-12-22 並列型A/Dコンバータにおけるエンコーダの高速化の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-2-48 ワンチップ無線通信回路に向けたWL-CSP方向性結合器の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-2-61 ウエハレベルCSP技術を用いた方向性結合器(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-12-21 バッテリーレスin vivo無線通信用センサモジュール回路の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-31 ミリ波帯CMOS回路設計のためのマルチラインディエンベディング手法の検討(評価・モデリング,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-20 CMOSプロセスによる60GHz帯無線送信回路の開発(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション)
• C-2-61 ダイアゴナル配線を用いたプリント配線板の配線収容性と伝送特性(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• A-3-17 オンチップ差動伝送線路のWD積による損失の評価(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• C-12-38 差動伝送線路を用いたオンチップバスの検討(C-12.集積回路ABC,一般講演)
• A-3-15 縒り合わせオンチップ差動伝送線路のクロストーク評価(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• A-3-10 擬差動伝送線路を用いたオンチップ高密度伝送線路配線(A-3.VLSI設計技術,基礎・境界)
• A-3-9 伝送線路を用いたオンチップ高速高密度バス線路の検討(A-3.VLSI設計技術,基礎・境界)
• B-5-145 in vivoワイヤレス通信チップ用送受信回路に関する研究(B-5.無線通信システムA(移動通信))
• B-1-16 in vivo ワイヤレス通信チップ用アンテナに関する研究 : 電磁波の人体透過特性
• C-12-16 Class-AおよびClass-ABによるミリ波帯高効率電力増幅器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-2-47 CMOS基板上FETのディエンベディング用オープン・ショートパターンの電磁界解析(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-44 Double delayディエンベディングにおけるコンタクト位置ばらつきの影響の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-43 ダミーメタル面積占有率による伝搬損失への影響の評価(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-12-15 60GHz帯局部発振器における20GHz位相同期回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-13 60GHz帯ダイレクトコンバージョン型CMOS無線受信回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-12 60GHz帯ダイレクトコンバーション型CMOS無線送信回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-14 注入同期型周波数逓倍器による60GHz帯直交局部発振器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-25 Dual-Conduction Class-C VCOにおけるFoMの改善(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-24 Design of 0.5-V LC-VCO for Low-voltage and Low-jitter Clock Generator
• C-12-22 A 0.5-V CMOS Power Amplifier with Adaptive Bias for Short-Rang Low-Power Applications
• 薄い金属で覆われた損失性媒質による損失
• C-12-34 60GHz注入同期型周波数逓倍器のI/Qミスマッチに関する検討(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-41 ミリ波帯電力増幅器に向けた伝送線路構造の最適化(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-40 バラクタクロスカップルを用いた60GHz帯CMOS電力増幅器(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-39 キャパシタクロスカップルを用いた高効率ミリ波帯差動電力増幅器(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-38 60GHzカスコード増幅器の利得および安定性の解析(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-37 容量フィードバックを用いた広帯域低雑音増幅器の研究(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-36 60GHz帯CMOS低雑音増幅器における位相差を考慮した3次歪みキャンセル(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-35 A 60-GHz Digitally-Controlled Phase Modulator with Phase Error Calibration
• C-12-33 シャントシリーズピーキングによるミリ波帯広帯域周波数分周器(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-32 注入同期型周波数逓倍器におけるロックレンジについての検討(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-31 周波数可変範囲を考慮したLC型電圧制御発振器の性能指数の定義(無線通信要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• ソフトウェア無線へ向けたCMOSマルチバンド送受信機の研究(技術展示,技術展示/製品展示,リコンフィギャブルハードウェア,一般)
• ソフトウェア無線へ向けたCMOSマルチバンド電圧制御発振器の研究(技術展示,技術展示/製品展示,リコンフィギャブルハードウェア,一般)
• C-12-81 60GHz帯全4チャネル対応低消費電力CMOS無線受信回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-78 60GHz帯全4チャネル対応低消費電力CMOS無線送信回路(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-82 60GHz帯アップコンバージョンミキサにおけるしきい値ばらつきの影響(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-80 60GHz帯ダイレクトコンバージョン無線機の直交局部発振器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-79 A Progressive Mixing 20GHz ILFD with Wide Locking Range for Higher Division Ratios
• C-12-66 A Startup Ensured Class-C VCO with Enhanced Oscillation Swing
• CMOS技術を用いた60GHz帯ダイレクトコンバージョン無線機(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
• C-12-55 放射線検出素子に対する制御システムとしての低ドロップアウトレギュレータの研究(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-77 A comparison between common-source and cascode topologies for 60GHz amplifier design in 65nm CMOS
• C-12-12 60GHz帯における低損失デカップリング用伝送線路の新構造(ミリ波/テラヘルツIC(2),C-12. 集積回路,一般セッション)

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