中山 範明 | (株)半導体理工学研究センター(STARC)

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概要

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関連著者

• 中山 範明

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 来栖 貴史

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 来栖 貴史

  筑波大学物理工学系

• 佐野 伸行

  筑波大学物理工学系

• 松沢 一也

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 広木 彰

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 佐野 伸行

  筑波大 物理工学系

• 岡田 健一

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 岡田 健一

  Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn

• 佐藤 高史

  東京工業大学統合研究院

• 益 一哉

  東京工業大学

• 上薗 巧

  東京工業大学統合研究院

• 萩原 汐

  東京工業大学統合研究院

• 中山 範明

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 岡田 健一

  東京工業大学

• 藤久 雄己

  東京工業大学統合研究院

• 佐藤 高史

  京都大学大学院情報学研究科

• 上薗 巧

  京都大学大学院情報学研究科:(独)日本学術振興会

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著作論文

• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
• A-3-22 MOSFETのリーク電流ばらつき測定のための回路検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)

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