佐野 伸行 | 筑波大学物理工学系

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概要

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• 同名の論文著者
• 筑波大学物理工学系の論文著者

関連著者

• 佐野 伸行

  筑波大学物理工学系

• 佐野 伸行

  筑波大 物理工学系

• 松沢 一也

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 北原 義之

  (株)東芝生産技術センター

• 名取 研二

  筑波大学物理光学系

• 北原 義之

  筑波大学物理工学系

• 名取 研二

  筑波大学物理工学系

• SANO Nobuyuki

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• MATSUZAWA Kazuya

  Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC)

• 向井 幹雄

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• Matsuzawa Kazuya

  Semiconductor Technology Academic Research Center (starc)

• Matsuzawa Kazuya

  Advanced Lsi Technology Laboratory Research & Development Center Toshiba Corporation

• Matsuzawa Kazuya

  Semiconductor Technology Academic Research Center

• Matsuzawa K

  Toshiba Corp. Yokohama‐shi Jpn

• Sano Nobuyuki

  Institute Of Applied Physics The University Of Tsukuba

• MUKAI Mikio

  Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC)

• Mukai Mikio

  Health-care Center Kinki Central Hospital

• 来栖 貴史

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 高木 茂行

  (株)東芝 生産技術センター

• 来栖 貴史

  筑波大学物理工学系

• 広木 彰

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 中山 範明

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 鳥山 周一

  筑波大学物理工学系

• NAKAYAMA Noriaki

  Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC)

• NATORI Kenji

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Natori Kenji

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Natori K

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• Nakayama Noriaki

  Semiconductor Technology Academic Research Center

• Nakayama Noriaki

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• Nakayama Noriaki

  Semiconductor Technology Academic Research Center (starc)

• Nakayama Noriaki

  Department Of Advanced Materials Science And Engineering Faculty Of Engineering

• 鳥山 周一

  株式会社東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 向井 幹雄

  半導体理工学研究センター

• 松沢 一也

  半導体理工学研究センター

• HIROKI Akira

  Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC)

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著作論文

• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
• 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• デバイス・シミュレーションとその物理
• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
• Influence of Thermal Noise on Drain Current in Very Small Si-MOSFETs
• Influence of Intrinsic Current Fluctuation in Very Small Si-MOSFETs
• Current Fluctuation Characteristic of Sub-0.1 Micron Device Structures:A Monte Carlo Study
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
• Probability Distribution of Threshold Voltage Fluctuations in Metal-OXide-Semiconductor Field-Effect-Transistors : Semiconductors

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