名取 研二 | 筑波大学物理工学系

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概要

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• 同名の論文著者
• 筑波大学物理工学系の論文著者

関連著者

• 名取 研二

  筑波大学物理光学系

• 名取 研二

  筑波大学物理工学系

• 佐野 伸行

  筑波大学物理工学系

• 松沢 一也

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 佐野 伸行

  筑波大 物理工学系

• 北原 義之

  (株)東芝生産技術センター

• 北原 義之

  筑波大学物理工学系

• 向井 幹雄

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 和田 尚也

  筑波大学物理工学系

• 両角 直人

  筑波大学物理工学系

著作論文

• 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
• 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 新しいメモリー・デバイス

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