名取 研二 | 筑波大学物理光学系
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概要
関連著者
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名取 研二
筑波大学物理光学系
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名取 研二
筑波大学物理工学系
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佐野 伸行
筑波大学物理工学系
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北原 義之
筑波大学物理工学系
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松沢 一也
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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佐野 伸行
筑波大 物理工学系
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北原 義之
(株)東芝生産技術センター
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向井 幹雄
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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名取 晃子
電通大電子
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和田 尚也
筑波大学物理工学系
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名取 研二
筑波大物工
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名取 晃子
電通大
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高瀬 賢順
電通大
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名取 研二
筑波大 物工
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名取 研二
筑波大学物理工学系名取・佐野研究室ニューラルネットワークグループ
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鈴木 洋仁
筑波大学物理工学系名取・佐野研究室ニューラルネットワークグループ
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向井 幹雄
半導体理工学研究センター
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松沢 一也
半導体理工学研究センター
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両角 直人
筑波大学物理工学系
著作論文
- 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
- 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- A-1-4 画像圧縮用ニューラルネットワークの研究 : υ-MOSを用いた画像圧縮回路(A-1. 回路とシステム)
- フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 新しいメモリー・デバイス
- 原子鎖の電子波透過スペクトル
- 原子鎖の電子波透過スペクトル