フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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高電界下の半導体素子において,光学フォノンの放出による電子の運動エネルギーの緩和が輸送特性に及ぼす影響を,Transmission formalism に基づいた解析的なアプローチにより検討した.一次元のボルツマン輸送方程式から直接導いたフラックス方程式により,エネルギー緩和のレートを変えて系の輸送特性の変化を調べた.光学フォノンの放出によるエネルギーの緩和が起こることで,負の速度成分が抑制されて系のバリスティック輸送効率が上昇することを確認した.しかし同時に,チャネル内の電子の速度を減少させ,結果的に電流値を減少させる効果も示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-06
著者
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