微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
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概要
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極微細半導体デバイスにおける電流ゆらぎのデバイス・サイズ依存性を、モンテカルロ法を用いてシミュレーション解析した。素子の微細化に伴う電子の拡散的輸送から準弾導輸送への遷移により、極微細デバイス構造特有の新しいゆらぎのモードが顕在化することを見い出した。即ち、準弾導的にチャネル領域から注入された高エネルギー電子が、ドレイン・エッジにおいてフォノン散乱等によりチャネル領域にキック・バックされることによる電流ゆらぎが、サブ0.1ミクロン領域の電流ゆらぎにおいて支配的であることを見い出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
名取 研二
筑波大学物理光学系
-
佐野 伸行
筑波大学物理工学系
-
松沢 一也
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
-
名取 研二
筑波大学物理工学系
-
佐野 伸行
筑波大 物理工学系
-
北原 義之
(株)東芝生産技術センター
-
北原 義之
筑波大学物理工学系
-
向井 幹雄
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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