SCM測定のシミュレーション解析
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概要
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nMOSFETの2次元不純物分布について、SCM(scanning capacitance microscopy)の精度を測定とプロセス/デバイス・シミュレーションによって検討した。SCM信号は、pn接合中のキャリアの空乏化、Si基板端のエッジ効果、ゲート電極の仕事関数によって変調される事を明らかにした。SCMは、少なくともsingle S/D拡散層の横方向と深さ方向の不純物分布の広がりを与えることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
中村 雅一
(株)東レリサーチセンター表面科学研究部
-
松沢 一也
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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