酸化工程における中低濃度Pの拡散シミュレーション

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概要

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酸化工程におけるPの拡散実験を行い、シミュレーションとの比較検討を行った。その結果、酸化後の酸化膜中及びSi基板中のP濃度分布を単一の偏析係数mを用いたシミュレーションでは実験結果を再現できないことが分かった。この原因はSiO_2/Si界面におけるPの凝集層にあると考えられ、酸化膜及びSi基板内のP濃度を再現する偏析係数の違いに着目して、実験的にPの凝集量を求めた。また、有効偏析係数m_<eff>を導入することにより、凝集層の影響を考慮したシミュレーションが可能になることを示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-13

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