青木 伸俊 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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概要
関連著者
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
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稲葉 聡
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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佐々木 貴彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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中村 雅一
(株)東レリサーチセンター表面科学研究部
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松沢 一也
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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佐々木 貴彦
株式会社東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
(株)東芝
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大脇 幸人
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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大塚 伸朗
(株)東芝 Soc研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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江口 和弘
(株)東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水野 央之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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坂本 篤史
東芝情報システム(株)
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東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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森門 六月生
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
(株)東芝ulsi研究所
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩出 健次
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中村 光利
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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川崎 博久
東芝アメリカ電子部品社
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八木下 淳史
東芝アメリカ電子部品社
-
石丸 一成
東芝アメリカ電子部品社
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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富田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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中村 光利
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
来栖 貴史
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
東芝
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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山内 淳
慶大理工
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
プロセス技術推進センター
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楠 直樹
システムLSIデバイス技術開発部
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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山内 淳
(株)東芝研究開発センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東 篤志
東芝
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谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
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楠 直樹
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
-
松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- SCM測定のシミュレーション解析
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- 27aYG-6 第一原理計算によるSi中のNのAs活性化への影響予測(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 酸化工程における中低濃度Pの拡散シミュレーション
- N_2アニールにおけるAsの拡散・活性化シミュレーション
- 対拡散モデルを用いた高濃度ホウ素の拡散シミュレーション : 高速計算手法とシミュレーション精度