佐々木 貴彦 | 株式会社東芝
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概要
関連著者
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佐々木 貴彦
株式会社東芝
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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佐々木 貴彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大塚 伸朗
(株)東芝 Soc研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川澄 篤
株式会社東芝
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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藤村 勇樹
株式会社東芝
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平林 修
株式会社東芝
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鈴木 東
株式会社東芝
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武山 泰久
株式会社東芝
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櫛田 桂一
株式会社東芝
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片山 明
株式会社東芝
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深野 剛
株式会社東芝
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矢部 友章
株式会社東芝
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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川崎 博久
東芝アメリカ電子部品社
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八木下 淳史
東芝アメリカ電子部品社
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石丸 一成
東芝アメリカ電子部品社
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須黒 恭一
(株)東芝
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仁木 祐介
株式会社東芝
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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江口 和弘
(株)東芝
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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櫛田 桂一
株式会社東芝セミコンダクター社
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綱島 祥隆
(株)東芝
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平林 修
株式会社東芝セミコンダクター社
-
平林 修
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社ロジックLSI事業部
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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中里 高明
株式会社東芝
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志津木 康
株式会社東芝
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串山 夏樹
株式会社東芝
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武山 泰久
株式会社東芝セミコンダクター社
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川澄 篤
株式会社東芝セミコンダクター社
-
鈴木 東
株式会社東芝セミコンダクター社
-
矢部 友章
株式会社東芝セミコンダクター社
-
藤村 勇樹
株式会社東芝セミコンダクター社
著作論文
- 招待講演 SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm[2]セル低電圧コンフィギュラブルSRAM (集積回路)
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm^2セル2電源SRAM(メモリ技術)
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm^2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)