串山 夏樹 | 株式会社東芝
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概要
関連著者
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串山 夏樹
株式会社東芝
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高瀬 覚
(株)東芝
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高瀬 覚
(株)東芝セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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串山 夏樹
(株)東芝メモリー事業部
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川澄 篤
株式会社東芝
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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藤村 勇樹
株式会社東芝
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平林 修
株式会社東芝
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鈴木 東
株式会社東芝
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武山 泰久
株式会社東芝
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櫛田 桂一
株式会社東芝
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佐々木 貴彦
株式会社東芝
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片山 明
株式会社東芝
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深野 剛
株式会社東芝
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中里 高明
株式会社東芝
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志津木 康
株式会社東芝
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矢部 友章
株式会社東芝
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串山 夏樹
東芝半導体デバイス技術研究所
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伊藤 洋
株式会社東芝 セミコンダクター社
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矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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伊藤 洋
(株)東芝セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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和田 幸夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス
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Tan Charles
Hewlett-Packard ULSI Lab.
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武山 泰久
株式会社東芝セミコンダクター社
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川澄 篤
株式会社東芝セミコンダクター社
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鈴木 東
株式会社東芝セミコンダクター社
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櫛田 桂一
株式会社東芝セミコンダクター社
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矢部 友章
株式会社東芝セミコンダクター社
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藤村 勇樹
株式会社東芝セミコンダクター社
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平林 修
株式会社東芝セミコンダクター社
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伊藤 洋
(株)東芝 半導体研究開発センター
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平林 修
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社ロジックLSI事業部
著作論文
- レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm^2セル2電源SRAM(メモリ技術)
- フレキシブルマッピングリダンダンシ技術とアディショナルリフレッシュ方式を採用した1.6GByte/s 72Mb DRAM
- Rambusインターフェイス回路技術
- 0.3V振幅I/Oを用いた295MHz4K×256SRAM